|
新思科技公司（Synopsys）日前宣布：即日起提供其基于FinFET技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)綜合解決方案。該解決方案包含了一系列DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫(kù)IP，其Galaxy實(shí)現(xiàn)平臺(tái)中經(jīng)芯片驗(yàn)證過(guò)的設(shè)計(jì)工具，以及晶圓代工廠認(rèn)證的提取、仿真和建模工具。它還包含了多家晶圓廠用于開(kāi)發(fā)FinFET工藝所需的TCAD和掩膜綜合產(chǎn)品。各種FinFET器件的三維結(jié)構(gòu)代表了晶體管制造領(lǐng)域內(nèi)的一個(gè)重大轉(zhuǎn)變，它影響了設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)工具、制造工具及設(shè)計(jì)IP。通過(guò)與業(yè)界領(lǐng)先的晶圓代工廠、研究機(jī)構(gòu)和早期采用者在工程領(lǐng)域長(zhǎng)達(dá)五年的開(kāi)發(fā)合作，Synopsys的FinFET解決方案為實(shí)現(xiàn)從平面到3D晶體管的成功過(guò)渡提供了各種經(jīng)生產(chǎn)驗(yàn)證的技術(shù)。該全線解決方案為加速FinFET技術(shù)的部署提供了強(qiáng)大的EDA工具和IP基礎(chǔ)，該技術(shù)可為半導(dǎo)體設(shè)計(jì)提供更低的功耗、更好的性能與更小的面積。 “Synopsys持續(xù)地投入巨資來(lái)開(kāi)發(fā)一個(gè)完整的解決方案，以推進(jìn)包括FinFET在內(nèi)的新工藝幾何節(jié)點(diǎn)和器件的應(yīng)用，” Synopsys高級(jí)副總裁兼設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Antun Domic說(shuō)道。“Synopsys與FinFET生態(tài)系統(tǒng)中的合作伙伴，包括晶圓廠、早期采用者及研究機(jī)構(gòu)等廣泛合作，使我們能夠提供業(yè)界頂級(jí)的技術(shù)，并且使市場(chǎng)認(rèn)識(shí)到這種新型晶體管設(shè)計(jì)的所有潛在優(yōu)勢(shì)。” “隨著我們開(kāi)始提供新的14nm-XM工藝，我們已經(jīng)加快了我們領(lǐng)先的發(fā)展路線，以提供一種為日益擴(kuò)張的移動(dòng)市場(chǎng)而優(yōu)化的FinFET技術(shù)，” GLOBALFOUNDRIES高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官Gregg Bartlett說(shuō)道。“與合作伙伴攜手已經(jīng)成為我們能夠提供這種創(chuàng)新的FinFET解決方案的關(guān)鍵因素。我們很早就已經(jīng)與Synopsys在多個(gè)領(lǐng)域內(nèi)開(kāi)展合作，包括FinFET器件的HSPICE建模。我們延續(xù)了我們的合作，以加快我們共同的客戶對(duì)FinFET技術(shù)的采用。” “我們與Synopsys在FinFET技術(shù)上的合作是保持我們半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先地位的關(guān)鍵，”三星電子有限公司負(fù)責(zé)系統(tǒng)LSI基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)計(jì)中心的高級(jí)副總裁Kyu-Myung Choi博士說(shuō)道。“我們的晶圓代工廠和半導(dǎo)體設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)與Synopsys多樣化的EDA工具和IP開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)相結(jié)合，使我們能夠有效地應(yīng)對(duì)與FinFET相關(guān)的挑戰(zhàn)。我們將繼續(xù)鞏固這種強(qiáng)大的合作關(guān)系，以使FinFET技術(shù)收益最大化。” “很早以前，我們就成功地證明了使用FinFET 3D晶體管的功耗和性能優(yōu)勢(shì)，” 被廣泛地視為FinFET技術(shù)先驅(qū)的加利福尼亞州立大學(xué)伯克利分校微電子學(xué)特聘教授Chenming Hu博士說(shuō)道。“為了使這些演示成為現(xiàn)實(shí)，我們的團(tuán)隊(duì)與Synopsys 研發(fā)部門(mén)在包括器件仿真在內(nèi)的多個(gè)領(lǐng)域內(nèi)進(jìn)行了緊密合作。我們將繼續(xù)與Synopsys合作來(lái)推進(jìn)FinFET部署的更多創(chuàng)新。” Synopsys的具備FinFET能力的IP 通過(guò)與領(lǐng)先的晶圓代工廠超過(guò)五年的緊密合作，使Synopsys獲得了設(shè)計(jì)方面的專業(yè)知識(shí)以及對(duì)IP架構(gòu)的一種深刻理解。這種緊密的合作成就了關(guān)鍵客戶對(duì)Synopsys基于FinFET 的DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫(kù)IP解決方案的成功部署。計(jì)劃于2013年進(jìn)行更多樣化的IP開(kāi)發(fā)。DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器和邏輯庫(kù)IP被構(gòu)建用于實(shí)現(xiàn)FinFET技術(shù)的全部?jī)?yōu)勢(shì)，在性能、漏電特性、動(dòng)態(tài)功耗和低電壓運(yùn)行等領(lǐng)域內(nèi)提供出眾的結(jié)果。 Synopsys面向FinFET工藝的設(shè)計(jì)工具 從平面到基于FinFET的3D晶體管的變遷是一項(xiàng)重大改變，它需要工具開(kāi)發(fā)商、晶圓代工廠和早期采用者之間緊密的研發(fā)合作，以提供堅(jiān)實(shí)的EDA工具基礎(chǔ)。通過(guò)與FinFET生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴多年的合作，Synopsys的解決方案加速了基于FinFET的設(shè)計(jì)的上市時(shí)間。該綜合解決方案包括IC Compiler物理設(shè)計(jì)、IC Validator物理驗(yàn)證、StarRC寄生參數(shù)提取、SiliconSmart特征描述、用于FastSPICE仿真的CustomSim和FineSim以及HSPICE器件建模和電路仿真。 Synopsys面向FinFET工藝的制造工具 FinFET的小幾何尺寸和3D性質(zhì)使其需要新的方法來(lái)優(yōu)化器件性能和漏電指標(biāo)，并解決工藝變化帶來(lái)的影響。器件的目標(biāo)性能與漏電指標(biāo)需要通過(guò)對(duì)鰭型幾何結(jié)構(gòu)、應(yīng)力工程學(xué)及其它因素的優(yōu)化得以實(shí)現(xiàn)。由隨機(jī)摻雜的波動(dòng)、線邊緣粗糙度、布線感生應(yīng)力及其它來(lái)源帶來(lái)的工藝偏差，會(huì)共同對(duì)器件和電路性能產(chǎn)生影響。Synopsys已經(jīng)與多家晶圓代工廠就Sentaurus TCAD和Proteus掩膜綜合產(chǎn)品進(jìn)行合作，以解決以上問(wèn)題。Sentaurus產(chǎn)品線使晶圓代工廠能夠優(yōu)化FinFET 工藝，和設(shè)計(jì)能夠減輕工藝變化帶來(lái)的影響、從而滿足性能與漏電特性要求的器件。Proteus產(chǎn)品線為晶圓代工廠實(shí)現(xiàn)整個(gè)芯片的臨近校正提供了綜合的解決方案。 |
