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新解決方案適用于工業(yè)并具有更寬的溫度范圍 美高森美公司(Microsemi ) 宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅(silicon carbide，SiC)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開(kāi)關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器、石油勘探和其它大功率、高電壓工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。該功率模塊系列還提供了更寬的溫度范圍，以期滿足下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對(duì)更高的功率密度、工作頻率和效率的要求。 與硅材料相比，SiC技術(shù)提供了更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)度和更好的熱傳導(dǎo)率，從而實(shí)現(xiàn)了參數(shù)性能特性改進(jìn)，包括零反向恢復(fù)、不受溫度影響的特性、更高的工作電壓和更高的工作溫度，以實(shí)現(xiàn)全新的性能、效率和可靠性水平。 美高森美功率模塊產(chǎn)品集團(tuán)總經(jīng)理Philippe Dupin稱：“我們應(yīng)用在功率半導(dǎo)體集成和封裝領(lǐng)域的廣泛的專業(yè)技術(shù)，提供下一代碳化硅功率模塊系列，這些器件具有出色的性能、可靠性和綜合質(zhì)量水平。我們的新模塊還使得設(shè)計(jì)人員能夠縮減系統(tǒng)尺寸和重量，同時(shí)降低總體系統(tǒng)成本。” 關(guān)于新的SiC模塊 美高森美新的工業(yè)溫度SiC功率模塊具有多種電路拓?fù)洌⑶壹稍谳^小的封裝內(nèi)。新模塊產(chǎn)品系列中的大多數(shù)產(chǎn)品使用氮化鋁(aluminum nitride，AIN)襯底，來(lái)實(shí)現(xiàn)與散熱器的隔離，從而改善了至散熱系統(tǒng)的熱傳遞。 其它特性包括高速開(kāi)關(guān)、低開(kāi)關(guān)損耗、低輸入電容、低驅(qū)動(dòng)要求、小尺寸和最小寄生電感，能夠?qū)崿F(xiàn)高頻率、高性能、高密度和節(jié)能的電力系統(tǒng)。 新工業(yè)溫度模塊系列包括以下參數(shù)和器件： • 1200V升壓斬波電路(boost chopper)，額定電流為50至100A (器件編號(hào)：APT100MC120JCU2和APT50MC120JCU2) • 1200V相臂 (phase leg) 結(jié)構(gòu)，額定電流為40至200A (器件編號(hào)：APTMC120AM08CD3AG、APTMC120AM20CT1AG和 APTMC120AM55CT1AG) • 600V中性點(diǎn)箝位結(jié)構(gòu)，專用于太陽(yáng)能或UPS應(yīng)用的三級(jí)逆變器，額定電流為20至160A (器件編號(hào)：APTMC60TLM14CAG、APTMC60TLM20CT3AG、APTMC60TLM55CT3AG和APTMC60TL11CT3AG) • 中性點(diǎn)箝位結(jié)構(gòu)，600V/1200V混合電壓，額定電流為20至50A (器件編號(hào)：APTMC120HRM40CT3G和APTMC120HR11CT3G) 美高森美的SiC產(chǎn)品組合包括分立和模塊封裝的肖特基二極管，以及標(biāo)準(zhǔn)和定制配置的采用SiC肖特基二極管和IGBT或MOSFET晶體管組合的功率模塊。 供貨 美高森美以短交貨周期提供工業(yè)溫度SiC標(biāo)準(zhǔn)功率模塊樣品。 要了解更多的信息，請(qǐng)聯(lián)絡(luò)當(dāng)?shù)孛栏呱拦句N售代表。 |
