TriQuint推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管，可使放大器尺寸減小50%

發布時間：2012-12-18 10:03 發布者：eechina

TriQuint半導體公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半，同時改進效率和增益。這些新的氮化鎵晶體管可在直流至6 GHz寬廣的工作頻率上提供30-37W (CW) 射頻輸出功率。它們是商業通信和測試設備系統等類似的寬帶系統應用的理想選擇。

TriQuint新的氮化鎵功率晶體管包括28V的T1G6003028-FS，其工作頻率為直流至6 GHz，提供30W的輸出功率，在3.5 GHz和6 GHz頻率時的效率分別為55%和44%。T1G6003028-FL提供相同的性能，并且采用法蘭封裝來滿足不同封裝的要求。TriQuint新的32V的T1G4003532-FS和法蘭封裝的T1G4003532-FL是用于S波段及類似應用的理想選擇。它們在直流至3.5 GHz工作頻率下提供37W (CW) 輸出功率。上述兩種32V器件均在3.5 GHz和6 GHz分別提供大于16dB和10dB的增益；其附加功率效率(PAE) 在5GHz和6GHz分別為60%和49.6%。

所有四款新的氮化鎵晶體管均可承受高達10:1的駐波比(VSWR) 失配而不損害功能，同時為在高漏偏壓條件下工作而優化，從而降低系統成本和散熱管理成本。所有器件均可出口至大多數國家；詳情請與TriQuint聯系。

技術規格 – 新的TriQuint 氮化鎵晶體管：

T1G6003028-FS	直流至6 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：30W；在3.5 GHz時, 增益為14dB；在6 GHz時，增益為10dB；漏極效率：在3.5 GHz時為55%, 在6 GHz時為44%；28V在200 mA，承受10:1 駐波比，EAR99無法蘭封裝。
T1G6003028-FL	直流至6 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：30W；在3.5 GHz時, 增益為14dB；在6 GHz時，增益為10dB；漏極效率：在3.5 GHz時為55%, 在6 GHz時為44%；28V在200 mA，承受10:1 駐波比，EAR99法蘭封裝。
T1G4003532-FS	直流至3.5 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：30W CW；在3.5 GHz時, 增益超過16dB；在6 GHz時，增益為10dB；附加功率效率：在5 GHz時為60%, 在6 GHz時為49.6%；32V在2.4 A，承受10:1 駐波比，EAR99無法蘭封裝。
T1G4003532-FL	直流至3.5 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：37W CW；在3.5 GHz時, 增益超過16dB；在6 GHz時，增益為10dB；附加功率效率：在5 GHz時為60%, 在6 GHz時為49.6%；32V在2.4 A，承受10:1 駐波比，EAR99無法蘭封裝。

如需樣品和評估板請聯系產品營銷部。訪問TriQuint網站來接洽所在地區的銷售代表。

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