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“十二五”規劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業的發展非常重視，同時，“節能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細化用電轉型。包括IGBT等半導體功率器件作為關鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專項中提供多方位的支持。 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導體分立器件，具有易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機調速、UPS以及逆變焊機當中，是目前發展最為迅速的新一代功率器件。 
圖1：江蘇中科君芯科技有限公司的6500V/25A IGBT芯片和6寸晶圓 同時IGBT目前的供貨也主要來自國外廠商，筆者在剛剛結束的高交會上看到一家本土的IGBT廠商中科君芯在推廣他們的IGBT產品。據介紹，中科君芯產品已經在國內小批量銷售，客戶試用的反應良好。
圖2：江蘇中科君芯科技有限公司的6500V/50A IGBT芯片和8寸晶圓 江蘇中科君芯科技有限公司是以中國科學院微電子研究所硅器件與集成技術研究室及中國物聯網研究發展中心電力電子器件研發實驗室為核心研發實體，結合行業內上下游的優勢資源及海內外優秀人才加盟而成立的一家高科技企業。 公司技術研發團隊在IGBT產品研制方面技術實力雄厚，有20多年的技術積累和基礎，處于國內領先地位，目前擁有博士7名，碩士18名。 目前公司的15A/600V、15A/1200V、25A/1200V、40A/1200V、100A/1200V、25A/1700V產品已經過客戶試用，反應良好，開始銷售。中科君芯工作人員介紹，公司目前已開發完成15-100A/1200V、20-100A/1700V非穿通型平面柵和溝槽柵IGBT系列產品以及配套FRD產品，15A/600V場截止型溝槽柵IGBT產品，已完成2500V，3300V，4500V和6500V系列IGBT芯片樣品的開發，其中6500V IGBT芯片樣品的擊穿電壓達到7100V以上。正在進一步優化相關參數，拓展產品規格，目標是形成600V-6500V全系列IGBT產品。 |
