東芝計劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存

發(fā)布時間：2010-4-6 10:20 發(fā)布者：諸葛孔明

據(jù)國外媒體報道稱，東芝公布了一項新計劃，開發(fā)25納米工藝的閃存芯片。

東芝公司今年計劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗生產(chǎn)線，生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片，并希望從2012年起發(fā)售25納米閃存芯片。

目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術(shù)，主要應(yīng)用于手機及數(shù)字相機等電子消費產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術(shù)，因此，東芝也將進行相應(yīng)的技術(shù)升級。目前，東芝已向荷蘭半導(dǎo)體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購設(shè)備，預(yù)計在今年夏天試驗投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布，東芝在股市中漲幅達3.5%，遠遠超過同類電氣機器指數(shù)0.8%的漲幅。

而東芝與其它半導(dǎo)體廠商20納米制程閃存的開發(fā)，也可望于未來兩年內(nèi)開始量產(chǎn)。

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