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飛兆碳化硅BJT為功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供業(yè)界領(lǐng)先的效率和更高的可靠性

發(fā)布時間:2012-11-21 11:36    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: SiC , BJT , 功率轉(zhuǎn)換
首次出現(xiàn)在產(chǎn)品組合中的 SiC 雙極結(jié)型晶體管(BJT)實現(xiàn)在較高工作溫度下最低的總功率損耗

為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求,工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而,在可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動器、高密度電源、汽車以及井下作業(yè)等領(lǐng)域,要想增強這些關(guān)鍵設(shè)計性能,設(shè)計的復(fù)雜程度就會提高,同時還會導(dǎo)致總體系統(tǒng)成本提高。

為幫助設(shè)計人員解決這些難題,全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 發(fā)布了非常適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案,進而拓展了公司在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

通過在產(chǎn)品組合中引入基于SiC技術(shù)的新產(chǎn)品成員,飛兆半導(dǎo)體進一步鞏固了其在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)品領(lǐng)先地位。

飛兆半導(dǎo)體的SiC特性包括:

•    經(jīng)過優(yōu)化的半標(biāo)準(zhǔn)化自定義技術(shù)解決方案,可充分利用自身較大的半導(dǎo)體器件與模塊封裝技術(shù)組合
•    憑借功能集成和設(shè)計支持資源簡化工程設(shè)計難題的先進技術(shù),可在節(jié)約工程設(shè)計時間的同時最大限度地減少元器件數(shù)量。
•    具有尺寸、成本和功率優(yōu)勢的較小型先進封裝集成了領(lǐng)先的器件技術(shù),可滿足器件制造商和芯片組供應(yīng)商的需求

在飛兆半導(dǎo)體SiC組合中首先要發(fā)布的一批產(chǎn)品是先進的SiC雙極結(jié)型晶體管(BJT)系列,該系列產(chǎn)品可實現(xiàn)較高的效率、電流密度和可靠性,并且能夠順利地進行高溫工作。 通過利用效率出色的晶體管,飛兆半導(dǎo)體的SiC BJT實現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率,這是因為傳導(dǎo)和開關(guān)損耗較低(30-50%),從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實現(xiàn)高達40%的輸出功率提升。

這些強健的BJT支持使用更小的電感電容和散熱片,可將系統(tǒng)總體成本降低多達20%。 這些業(yè)界領(lǐng)先的SiC BJT性能出眾,可促進更高的效率和出色的短路及逆向偏壓安全工作區(qū),將在高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的功率管理優(yōu)化中發(fā)揮重大作用。

飛兆半導(dǎo)體還開發(fā)了即插即用的分立式驅(qū)動器電路板(15A和50A版本),作為整套碳化硅解決方案的一部分,與飛兆半導(dǎo)體的先進SiC BJT配合使用時,不僅能夠在減少開關(guān)損耗和增強可靠性的條件下提高開關(guān)速度,還使得設(shè)計人員能夠在實際應(yīng)用中輕松實施SiC技術(shù)。飛兆半導(dǎo)體為縮短設(shè)計時間、加快上市速度,還提供了應(yīng)用指南和參考設(shè)計。應(yīng)用指南可供設(shè)計人員獲取SiC器件設(shè)計所必需的其他支持;參考設(shè)計有助于開發(fā)出符合特定應(yīng)用需求的驅(qū)動器電路板。

SiC BJT和其他SiC

有史以來最高效的1200 V功率轉(zhuǎn)換開關(guān)
•    最低的總損耗,包括開關(guān)、傳導(dǎo)及驅(qū)動器損耗
•    所有1200 V器件中最低的開關(guān)損耗(任意RON條件下)
簡單直接的驅(qū)動
•    常關(guān)功能降低了風(fēng)險和復(fù)雜程度,并減少了限制性能的設(shè)計
•    穩(wěn)定的基極輸入,對過壓/欠壓峰值不敏感   
強健且可靠
•    額定工作溫度高: Tj=175°C
•    由于RON具有正溫度系數(shù),增益具有負(fù)溫度系數(shù),因此易于并聯(lián)
•    穩(wěn)定持久的Vbe正向電壓和反向阻隔能力



封裝和報價信息(訂購1,000個,美元)

飛兆半導(dǎo)體的SiC BJT采用TO-247封裝;符合條件的客戶從現(xiàn)在起即可獲取工程設(shè)計樣本。  

飛兆半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域掌握的專業(yè)技術(shù)非常符合不斷發(fā)展的碳化硅市場狀況。 公司的SiC產(chǎn)品組合將提供當(dāng)前競爭對手望塵莫及的速度、靈活性和總體性能優(yōu)勢。飛兆半導(dǎo)體致力于打造可幫助客戶實現(xiàn)成功的解決方案,通過不斷與客戶合作提供出色的多市場半導(dǎo)體產(chǎn)品,注重創(chuàng)新、服務(wù)和生產(chǎn)的卓越性。

有關(guān)飛兆半導(dǎo)體SiC技術(shù)的更多信息,請訪問: www.fairchildsemi.com/sic

查詢更多信息,請聯(lián)絡(luò)飛兆半導(dǎo)體香港辦事處,電話:852-2722-8338;深圳辦事處,電話:0755-8246-3088;上海辦事處,電話:021-6263-7500;北京辦事處,電話:010-6408-8088 或訪問公司網(wǎng)站:http://www.fairchildsemi.com/cn/


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