博客
Wafer Fab中的reticle靜電損壞
||
Reticle在Wafer fab中的角色
Photolithography（簡稱PHOTO，光刻），是半導(dǎo)體Wafer fab中最為核心技術(shù)的生產(chǎn)工序段。
Reticle，也稱為photo mask（光罩），則是PHOTO工序必不可缺少的關(guān)鍵工具。Reticle的自身完好性，對wafer線路光刻的精準(zhǔn)性起著決定性的作用。
圖1. Reticle在wafer PHOTO中的作用圖示
圖2. 用于wafer fab的Reticle
Reticle的靜電敏感性
由于wafer制程的精細(xì)程度持續(xù)提高，reticle對靜電的敏感型也持續(xù)上升。相關(guān)業(yè)內(nèi)的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)分析與相關(guān)研究表明，用于180nm制程的reticle已經(jīng)表現(xiàn)出不可忽視的靜電敏感特性。
圖3.Reticle chrome線路遭受多次ESD的損壞癥狀（光學(xué)顯微鏡）
Reticle靜電損壞對wafer fab的價(jià)值
Reticle受到靜電的影響，尤其是發(fā)生chrome pattern CD（Critical Dimension，關(guān)鍵尺寸）的偏移(較強(qiáng)的ESD)，可能直接導(dǎo)致PHOTO后的wafer報(bào)廢。
Photolithography（簡稱PHOTO，光刻），是半導(dǎo)體Wafer fab中最為核心技術(shù)的生產(chǎn)工序段。
Reticle，也稱為photo mask（光罩），則是PHOTO工序必不可缺少的關(guān)鍵工具。Reticle的自身完好性，對wafer線路光刻的精準(zhǔn)性起著決定性的作用。
圖1. Reticle在wafer PHOTO中的作用圖示
圖2. 用于wafer fab的Reticle
Reticle的靜電敏感性
由于wafer制程的精細(xì)程度持續(xù)提高，reticle對靜電的敏感型也持續(xù)上升。相關(guān)業(yè)內(nèi)的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)分析與相關(guān)研究表明，用于180nm制程的reticle已經(jīng)表現(xiàn)出不可忽視的靜電敏感特性。
圖3.Reticle chrome線路遭受多次ESD的損壞癥狀（光學(xué)顯微鏡）
Reticle靜電損壞對wafer fab的價(jià)值
Reticle受到靜電的影響，尤其是發(fā)生chrome pattern CD（Critical Dimension，關(guān)鍵尺寸）的偏移(較強(qiáng)的ESD)，可能直接導(dǎo)致PHOTO后的wafer報(bào)廢。
