磁存儲(chǔ)電子產(chǎn)品制造產(chǎn)業(yè)從1980年代末進(jìn)入中國(guó)大陸,是當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)極少數(shù)觸及到當(dāng)時(shí)世界最前沿的電子器件與產(chǎn)品制造技術(shù)、工藝的領(lǐng)域。從早期的Wafer切割、后端精密裝配(um級(jí)),到此后的Wafer制造,形成了HDD(Hard
Disk Drive,硬碟驅(qū)動(dòng)器)制造的全流程、精密制造設(shè)備的引進(jìn)吸收與開(kāi)發(fā)以及全套磁頭產(chǎn)品的分析手段的全產(chǎn)業(yè)鏈。
而磁存儲(chǔ)產(chǎn)品的生產(chǎn)制造,直接把ESD/EOS控制防護(hù)挑戰(zhàn)拉升到電子器件保護(hù)的最高水平(至今仍是)。而生產(chǎn)中不斷出現(xiàn)的磁頭高比例損失(20%以上),直接將生產(chǎn)工藝中的一線ESD防護(hù)工程師推到火線的最前沿,ESD損失一天得不到明顯降低,工作壓力只會(huì)持續(xù)倍增。ESD工程師的工作職位幾乎就因此在磁頭行業(yè)首先誕生。1990-2000年,ESD工程師們的連續(xù)產(chǎn)線排查、勘測(cè)分析、實(shí)驗(yàn)解決論證,乃至通宵作戰(zhàn),幾乎是一種常態(tài)。
圖2.GMR磁頭常見(jiàn)的ESD損壞癥狀(國(guó)內(nèi)MR磁頭OEM發(fā)布)
圖2.TMR磁頭常見(jiàn)的ESD損壞癥狀(國(guó)內(nèi)MR磁頭OEM發(fā)布)
圖3.TMR磁頭常見(jiàn)的ESD損壞癥狀(國(guó)內(nèi)MR磁頭OEM發(fā)布)
圖4. MR磁頭的ESD敏感度(HBM)發(fā)展趨勢(shì)(國(guó)內(nèi)MR磁頭OEM發(fā)布)
實(shí)踐出真知,實(shí)踐產(chǎn)生價(jià)值,伴隨磁頭產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展與生產(chǎn)制造工序的升級(jí)換代及自動(dòng)化裝配設(shè)備推陳出新,磁頭產(chǎn)品的生產(chǎn)制造ESD/EOS防護(hù)技術(shù)與實(shí)踐水平,也是不斷得到刷新與發(fā)展。
圖5. MR磁頭裝配階段中的ESD不良率損失控制趨勢(shì)(國(guó)內(nèi)MR磁頭OEM發(fā)布)
時(shí)至今日,雖然HDD產(chǎn)品與產(chǎn)業(yè)早已步入夕陽(yáng),但ESD/EOS控制伴隨這個(gè)電子產(chǎn)品制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,所產(chǎn)生的工業(yè)價(jià)值,尤其是技術(shù)認(rèn)知與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),應(yīng)該將對(duì)國(guó)內(nèi)其他后起的電子制造產(chǎn)業(yè)起到起到長(zhǎng)遠(yuǎn)的借鑒作用,尤其是集成電路制造、LCD面板制造、SMT裝配等領(lǐng)域。
向那些曾經(jīng)參與與仍在繼續(xù)磁頭制造產(chǎn)業(yè)中的ESD/EOS控制防護(hù)的工程師們,致敬。
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