|
安捷倫科技公司推出先進設計系統（ADS）射頻和微波 EDA 平臺的全新主要版本 ADS 2012。 ADS 2012 具備新的功能，提升了所支持應用的設計效率，并為 GaAs、GaN 和硅基材料射頻功率放大器多芯片模塊設計提供突破性技術。 提升設計效率 ADS 2012提供多個用戶界面增強特性，旨在改善工程師的設計效率。可駐留窗口支持用戶快速訪問常用的對話框，例如元器件信息和版圖層可視化窗口。新增的元器件搜索和網絡節點瀏覽功能可讓用戶輕松地完成大型設計。新的工程歸檔/解檔實用程序可使設計和工程項目共享變得更簡單。 更新了兩個重要的ADS射頻設計指南。ADS負載牽引設計指南現在包括失配仿真，給出器件或放大器對負載電壓駐波比或相位角的靈敏度。放大器設計指南增添了多項更新，可輕松查看在指定輸出功率或增益壓縮上的放大器性能。 突破性進展 ADS 2012在射頻功率放大器設計上的其它突破性進展包括： • 通過與EMPro整合，可將三維電磁場元器件另存為可以在ADS中直接使用的數據庫單元。 • 全新的集成在ADS設計環境中的電熱仿真器以全三維熱求解為基礎，結合了動態溫度效應，提高了“熱感知”電路仿真結果的精度。 • 多芯片模塊的電磁場仿真設置及不同技術的有限元方法仿真，可以分析典型的多芯片功率放大器模塊中的芯片和互連線、鍵合線以及倒裝芯片焊球之間的電磁場耦合效應。 • 提供對新型神經元網絡 NeuroFET 模型的支持（通過Agilent IC-CAP器件建模軟件提取），獲得更精確的場效應管建模和仿真結果（例如大功率GaN FET放大器）。 ADS 2012 網絡研討會 為了更完善地推出ADS 2012軟件，安捷倫還提供一系列網絡研討會，用以演示軟件的最新技術和應用。網絡研討會包括： • 集成的電熱解決方案提供熱感知電路仿真 —— 現場直播 10 月 4 日 • 射頻功率放大器設計系列：第 4 部分——使用 Amalfi CMOS PA 進行射頻模塊設計 —— 現場直播 11 月 15 日 • 射頻功率放大器設計系列：第 5 部分——包絡跟蹤和仿真分析 ——現場直播 12 月 13 日 • 芯片、基板及封裝多工藝功放 模塊設計方法 —— 點播式 • 使用 X 參數*功率晶體管模型進行功率放大器設計 —— 點播式 安捷倫誠邀客戶體驗 ADS 2012 測試版。對全新 ADS 2012 的技術、應用和功能感興趣的客戶可與當地的應用工程師或現場銷售人員聯系，以了解更多信息。ADS 2012 的海報請參見 www.agilent.com/find/ADS2012SW_images 安捷倫將于10月15日至16日在復合半導體集成電路研討會（展位16）展示ADS 2012（美國加州，拉荷亞），并于10月29日至11月1日在歐洲微波周（展位 114）進行展示（阿姆斯特丹RAI 國際會展中心）。安捷倫還將展示最新的微波、毫米波、無線、雷達和天線測試與測量解決方案，適用于電信、運輸和醫療市場。業界領先的解決方案可使研發、設計與制造工程師開發并交付創新型產品。 安捷倫連續九年作為歐洲微波周的白金贊助商，將會主辦一系列研討會和技術演示。 |
