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安森美半導體(ON Semiconductor)加入了領先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。 氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導熱性的特性，使其非常適合于要求高開關能效的功率器件及射頻(RF)器件。如今，基于氮化鎵的功率器件成本過高，不適合大批量制造，因為它們使用非標準生產工藝在小半徑的晶圓上制造。 imec的廣泛規(guī)模研究項目著重于開發(fā)200 mm晶圓上的硅基氮化鎵技術，及降低氮化鎵器件成本和提升性能。imec匯聚領先集成器件制造商(IDM)、晶圓代工廠、化合物半導體公司、設備供應商及襯底供應商，已經卓有成效地取得重大技術進步。 2011年，imec的研究項目成功地生產出200 mm硅基氮化鎵晶圓，該工藝讓標準高生產率200 mm晶圓廠隨手可得。此外，imec開發(fā)了兼容于標準CMOS工藝及工具的制造工藝，這是高性價比工藝的第二個先決條件。 安森美半導體高級副總裁兼首席技術官(CTO) Hans Stork說：“身為提供寬廣陣容高能效器件的全球20大半導體供應商之一，安森美半導體氮化鎵技術研究已持之多年，如今正在公司的比利時Oudenaarde生產廠建設氮化鎵工藝線。與imec合作，將鞏固我們現有的市場地位，并將可幫助我們?yōu)榭蛻粼黾佑懈偁幜Φ那把丶夹g。我們期待與想法相近的公司聯盟協(xié)作，在此領域進行前瞻性研究。” imec智能系統(tǒng)及能源技術副總裁Rudi Cartuyvels說：“我們的硅基氮化鎵聯合項目持續(xù)出現非凡進展，不斷推動降低生產成本。安森美半導體最新加盟成為策略項目合作伙伴，進一步推進我們的集體專知。充分利用聯合研究將幫助我們克服邁向經濟的大批量制造的下一個關卡，最終將氮化鎵功率器件面市。” 
圖片：imec采用200 mm CMOS兼容型硅基氮化鎵工藝的功率器件 |
