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運(yùn)放穩(wěn)定性連載8:?jiǎn)坞娫淳彌_器電路的實(shí)際設(shè)計(jì)(1)

發(fā)布時(shí)間:2012-7-31 16:36    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 運(yùn)放 , 運(yùn)算放大器
作者:Tim Green,德州儀器公司
本系列的第5部分將著重討論“實(shí)際”應(yīng)用,我們到目前為止所學(xué)會(huì)的技巧和經(jīng)驗(yàn)都將得到應(yīng)用,幫助我們方便地穩(wěn)定一個(gè)復(fù)雜的電路。我們將設(shè)計(jì)一個(gè)通用單電源緩沖放大器(將2.1V 緩沖至4.1V 參考),5V 單電源供電使它能夠線性地工作,可提供較大的輸出電流(>13mA),并在 -40°C 至 +125°C 工作溫度范圍的飄移為0.4V。雖然可將該電路用于許多應(yīng)用中,但我們?nèi)詫⒑?jiǎn)要介紹一下促使給出這個(gè)設(shè)計(jì)的原因,并解釋為何沒(méi)有現(xiàn)成的電路可用來(lái)完成此項(xiàng)工作。我們這里采用綜合技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)器件網(wǎng)絡(luò),以提供一個(gè)證明對(duì)許多運(yùn)放應(yīng)用都有益的穩(wěn)定電路。

技術(shù)背景:

在實(shí)際應(yīng)用中,惠斯通電橋的一個(gè)常見(jiàn)應(yīng)用就是壓力測(cè)量。如圖5.1 所示,隨著所加壓力變化,很多這種壓力傳感器都具有明顯的二階非線性特性。


圖5.1 典型實(shí)際傳感器輸出比所加壓力

圖字(上、下):室溫下電橋輸出與壓力關(guān)系、理想傳感器、實(shí)際傳感器;
坐標(biāo)軸字: X 軸:壓力、Y 軸:Vexc=1V 時(shí)的電橋輸出(V/V 或Vbridge)

除了隨所加壓力變化而產(chǎn)生的非線性外,許多壓力傳感器隨溫度變化在偏移量和范圍上也有非線性特性。用來(lái)校正這些誤差的一種現(xiàn)代解決方法是在壓力傳感器中內(nèi)置電子電路,然后將電子電路與壓力傳感器作為一個(gè)模塊,隨著溫度的變化進(jìn)行數(shù)字校準(zhǔn)。一種適用于此類(lèi)用途的IC是由德州儀器公司提供的Burr-Brown產(chǎn)品PGA309(如圖5.2 所示)。此輸出電壓已經(jīng)過(guò)數(shù)字校準(zhǔn)的傳感器,其信號(hào)調(diào)整IC包含有一個(gè)模擬傳感器線性化電路,該電路將輸出電壓的一部分反饋至傳感器的電壓激勵(lì)引腳,從而以20:1 的改良比例對(duì)二階非線性進(jìn)行線性化。因此,VEXC引腳將隨傳感器所加壓力的變化而對(duì)其電壓進(jìn)行調(diào)整。此電路的一個(gè)局限就是其傳感器激勵(lì)引腳VEXC,在工作溫度范圍內(nèi)限制在5mA最大輸出電流上。這里我們遇到了一個(gè)兩難的境地,即如何用一個(gè)阻抗來(lái)激勵(lì)要求電流超過(guò)5mA的傳感器。


圖 5.2:現(xiàn)代數(shù)字校準(zhǔn)傳感器信號(hào)調(diào)整器

圖字(左右、上下):非線性電傳式感器、線性化電路、參考、模擬傳感器線性化電路、線性化DAC、故障監(jiān)視器、自動(dòng)零點(diǎn)PGIA、過(guò)/欠刻度限幅器、模擬信號(hào)調(diào)整電路、外部溫度、數(shù)字溫度補(bǔ)償、內(nèi)部溫度、溫度ADC、控制寄存器接口電路、線性Vout、數(shù)字計(jì)算。

設(shè)計(jì)要求:

圖5.3 詳細(xì)給出了主要的設(shè)計(jì)指標(biāo)。我們希望用一個(gè)容差為10%的5V電源來(lái)供電。我們需要一個(gè)統(tǒng)一增益緩沖器,因?yàn)槲覀儾幌M赑GA309 線性化環(huán)路中引入任何誤差。由于PGA309 在VEXC引腳上有很寬的可編程范圍,因此我們需要容納從2.1V至4.1V的電壓范圍。我們最小的傳感器阻值為300Ω。因此,對(duì)于最大4.1V的輸出電壓,我們至少需要提供13.6mA的電流。PGA309 線性化電路具有大約35 kHz的帶寬。由于環(huán)路閉合的方式,我們的緩沖器帶寬至少要等于或大于線性化環(huán)路的帶寬。我們將目標(biāo)定為100kHz的小信號(hào)閉環(huán)帶寬。對(duì)于我們感興趣的傳感器應(yīng)用來(lái)說(shuō),大信號(hào)響應(yīng)若有1V/μs的擺動(dòng)速率就足夠了。該設(shè)計(jì)在從 -40°C 至 +125°C的溫度范圍內(nèi)應(yīng)該是穩(wěn)定工作的。因?yàn)槲覀儾幌M捎诰彌_器的原因而在最后應(yīng)用電路中引入任何額外的誤差,因此我們需要一個(gè)在運(yùn)放共模輸入范圍內(nèi)不會(huì)有任何交叉失真的電路。我們將簡(jiǎn)要討論一下這個(gè)問(wèn)題,因?yàn)樗鼛缀鯇?duì)所有CMOS單電源軌至軌輸入 (RRI) 運(yùn)放來(lái)說(shuō)都是一個(gè)問(wèn)題。


圖5.3 單電源、大電流緩沖器指標(biāo)

圖字:
指標(biāo):
單電源(4.5V統(tǒng)一增益緩沖器
VIN=2.1V 至4.1V
RL=300Ω到820Ω
IOUT MAX=13.6mA→(4.1V/300Ω)
小信號(hào)帶寬100kHz
大信號(hào)擺動(dòng)速率1V/μs
-40°C <工作溫度<+125°C

在運(yùn)放的共模范圍內(nèi)不能有交叉失真

對(duì)于軌至軌輸入運(yùn)放,傳統(tǒng)的解決方案是將N溝道和P溝道MOSFET并聯(lián)使用來(lái)實(shí)現(xiàn)軌以外的擺動(dòng)。問(wèn)題是這里存在著一個(gè)過(guò)渡區(qū),如圖5.4所示,此處兩對(duì)晶體管都是打開(kāi)。在此區(qū)域,PSR、CMR、偏移電壓及偏移漂移都與通常情況不同,F(xiàn)代解決方法采用正在申請(qǐng)專(zhuān)利的低噪聲電荷泵浦技術(shù),來(lái)避免使用傳統(tǒng)技術(shù)中的并聯(lián)N溝道與P溝道MOSFET。這樣就能消除偏移量被打亂的過(guò)渡區(qū)。在整個(gè)共模范圍內(nèi),OPA363 和 OPA364 均有線性偏移。上面給出的典型曲線是對(duì)1.8V電源來(lái)說(shuō)的。當(dāng)電源電壓升到 +5V時(shí),VOS的變化及非線性特性將變得更差。因此,為獲得共模輸入電壓下最好的線性度,我們將采用OPA364。


圖5.4:?jiǎn)坞娫础RI運(yùn)放VOS比共模輸入電壓關(guān)系曲線

圖字:競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品、共模電壓(V)

圖5.5 給出了OPA364 的一些關(guān)鍵指標(biāo):


圖5.5:OPA364 關(guān)鍵指標(biāo)

圖字:OPA364 RRIO 運(yùn)放
電源電壓:1.8V 至5.5V
溫度范圍:-40°C 至+125°C
共模電壓范圍:(V-)-0.1V 至 (V+)+0.1V
擺動(dòng)速率:5V/μs
增益帶寬:7MHz
輸出電壓擺動(dòng)與輸出電流之間的關(guān)系、輸出電壓(V)、輸出電流(mA)

設(shè)計(jì)拓?fù)洌?br />
既然我們知道我們所擁有的電壓空間很少,那么讓我們使用雙極型晶體管而不是MOSFET,因?yàn)殡p極型晶體管的Vbe 大約為0.65V,而MOSFET 的柵-源電壓可能為2V 或更大。此外,讓我們使用如圖5.6 所示的射極跟隨器結(jié)構(gòu)。由于將超出電壓空間,因此,如圖5.6 所示,在任何溫度下都無(wú)法使用射極跟隨器結(jié)構(gòu),且在 -40°C 溫度上情況最差。


圖5.6:使用射極跟隨器?–– 容易穩(wěn)定!

圖字:基極和發(fā)射極導(dǎo)通電壓與集電極電流關(guān)系 、VBE(ON)-基極和發(fā)射極導(dǎo)通電壓 (V)、IC-集電極電流 (mA)。

讓我們先保留雙極型晶體管,因?yàn)槲覀冞是只有很少的電壓空間。但讓我們把晶體管變成一個(gè)PNP 型,如圖5.7所示。現(xiàn)在我們看圖5.7 所示的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)覺(jué)得它看起來(lái)有點(diǎn)奇怪。乍一看,我們可能認(rèn)為它似乎像使用了正反饋而且即將產(chǎn)生振蕩!但經(jīng)過(guò)進(jìn)一步檢查后我們會(huì)發(fā)現(xiàn),事實(shí)上通過(guò)T1 我們獲得了一個(gè)180 度的反相。我們可以直觀地看到隨著U1 輸出的降低,更多的基極電流被驅(qū)動(dòng)流過(guò)T1 的基極,這將導(dǎo)致更多的電流流入T1 的集電極并流過(guò)負(fù)載RL。然后這又會(huì)導(dǎo)致VOUT 增加。因此U1 輸出的降低將導(dǎo)致VOUT 的增加。由于這個(gè)反相,我們的電路拓?fù)鋵⒂秘?fù)輸入U(xiǎn)1 來(lái)作為輸入,而將正輸入U(xiǎn)1 作為反饋點(diǎn)。

我們將增加一個(gè)R1 來(lái)限制 OPA364 在啟動(dòng)或瞬態(tài)條件下所需的最大瞬態(tài)或直流電流。R1 還將運(yùn)放的輸出與晶體管T1的寄生電容進(jìn)行隔離,這樣就提供了一個(gè)地方,如果需要的話可方便地加入穩(wěn)定性網(wǎng)絡(luò)。


圖5.7:基本緩沖放大器電路拓?fù)?br />
圖字:選擇PNP 晶體管以得到靠近電源軌的擺動(dòng)及大電流
要求反饋至運(yùn)放+由于通過(guò)晶體管反相的輸入
選擇OPA364 避免共模交叉失真
假定最小 VOA =0.1V
選擇R1 來(lái)限制流入OPA364 輸出端的最大Ib 值
最大Ib =4.7V/500 歐姆 =9.4mA:一個(gè)合理值
R1 也提供了VOA 和T1 基極之間的“隔離”
R1 還使我們有潛在地方來(lái)加入穩(wěn)定性網(wǎng)絡(luò)

圖5.8 詳細(xì)給出了我們所需要的有關(guān)T1——2N3906 PNP 晶體管的一些關(guān)鍵參數(shù)。


圖5.8: T1-2N3906 關(guān)鍵參數(shù)

圖字:開(kāi)通特性

直流電流增益、集電極-發(fā)射極飽和電壓、基極-發(fā)射極飽和電壓

1/β 分析:

現(xiàn)在我們開(kāi)始對(duì)緩沖器電路進(jìn)行穩(wěn)定性分析。首先,圖5.9 詳細(xì)給出了直流1/β 項(xiàng)的計(jì)算。假設(shè)T1 擁有hfe =200 的電流增益,300Ω負(fù)載需要從緩沖器電路上得到4.1V 上的13.67mA 電流。這意味著T1 處的基極電流將需要68.35uA。假設(shè)T1 的壓降Vbe 為0.7V,我們將看到VOA 將需要4.2658V 電壓來(lái)提供T1 所需的基極電流。如圖5.9 所示,這意味著OPA364 的輸出電壓若有0.0342V 的變化,將導(dǎo)致13.67mA 的電流流入RL。因此,我們可以計(jì)算在此電路中與電壓有關(guān)的β 項(xiàng),得到的計(jì)算值為119.88。對(duì)直流1/β,這意味著 -41.5dB 的值。對(duì)大多數(shù)運(yùn)放電路而言,1/β 通常是一個(gè)正數(shù),但我們所開(kāi)發(fā)的技術(shù)仍然有效,并使我們能分析此電路拓?fù)洹Mㄟ^(guò)在運(yùn)放電路的反饋路徑中增加增益,我們就得到了一個(gè)負(fù)的1/β 值。我們知道,在晶體管T1 中有寄生電容,我們猜測(cè)它可能會(huì)在反饋路徑中引入幾個(gè)高頻極點(diǎn)——亦即1/β 曲線上的零點(diǎn)。但無(wú)論是從器件數(shù)據(jù)資料來(lái)看,還是經(jīng)過(guò)和經(jīng)驗(yàn)豐富的IC 設(shè)計(jì)者就如何在環(huán)路分析中方便地確定電容的影響進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間討論以后,這一點(diǎn)也并不十分明顯。因此我們將獲取制造商的SPICE 晶體管模型,并用Tina SPICE 仿真來(lái)為我們演示它們應(yīng)位于何處。


圖5.9:什么是直流1/β?

圖字:我們知道在某些地方會(huì)有一些高頻極點(diǎn)(由于T1 的寄生電容),但我們不能確定在哪里?

圖5.10顯示我們?nèi)绾斡肨ina SPICE電路來(lái)尋找可能出現(xiàn)的高頻極點(diǎn)。請(qǐng)注意,我們使用了一個(gè)直流電壓V1,它設(shè)置了我們的直流工作點(diǎn),這樣晶體管T1就在其實(shí)際工作點(diǎn)附近被偏置。這能保證我們能獲得適當(dāng)?shù)慕涣鞣治鼋Y(jié)果。


圖5.10:“高頻極點(diǎn)在哪里?”電路

圖字:Aol=VOA/(VOUT-VM)
1/Beta=Vloop/VOUT
環(huán)路增益=VOA/Vloop

圖5.11 給出了我們尋找高頻極點(diǎn)的仿真結(jié)果。我們注意到,對(duì)RL = 300Ω 來(lái)說(shuō)直流1/β 值為 -30.89dB。我們用一階分析得到的預(yù)測(cè)值為 -41.5dB。如同實(shí)際的結(jié)果,仿真結(jié)果也依賴(lài)于實(shí)際使用的晶體管。對(duì)于RL = 820Ω,仿真結(jié)果表明直流1/β 值為 -39.6dB。我們確實(shí)希望β 值會(huì)隨負(fù)載的增加而增加(1/β 值降低)。VOUT 保持不變,但負(fù)載增加時(shí)IOUT 減少,因此基極電流變小,ΔVOA 也變小。這就說(shuō)明,將β 設(shè)為較大值(1/β 設(shè)為較值)時(shí)VOUT /ΔVOA 將變大(負(fù)dB 數(shù)量級(jí)更大)。我們看到高頻極點(diǎn)在大約736kHz 處。為便于使用一階分析,我們?nèi)≈绷?1/β 值為 -40dB 而高頻極點(diǎn)為1MHz。根據(jù)我們關(guān)于穩(wěn)定性的一階閉合速度準(zhǔn)則,我們發(fā)現(xiàn)電流緩沖電路是不穩(wěn)定的(fcl 處的閉合速度為40dB/Decade)!


圖5.11:找到高頻極點(diǎn)!

作為對(duì)我們的不穩(wěn)定性預(yù)測(cè)的快速驗(yàn)證,我們對(duì)如圖5.12 所示的現(xiàn)有緩沖器電路做了一個(gè)Tina 瞬態(tài)分析,這類(lèi)似于我們的實(shí)際穩(wěn)定性測(cè)試。如圖5.13 所示,我們發(fā)現(xiàn)它振蕩得很?chē)?yán)重!


圖5.12:瞬態(tài)分析電路 –––– 緩沖器拓?fù)鋡/o 補(bǔ)償


圖5.13:瞬態(tài)分析結(jié)果 –––– 緩沖器拓?fù)鋡/o 補(bǔ)償

我們?cè)趯?shí)驗(yàn)室建成了緩沖器拓?fù)鋡/o補(bǔ)償結(jié)構(gòu),以100Hz方波激勵(lì)的結(jié)果如圖5.14所示,F(xiàn)在,通過(guò)預(yù)計(jì)電路的不穩(wěn)定性,我們“閉合了環(huán)路”。通過(guò)用一階分析預(yù)測(cè),再用Tina SPICE仿真,最后在實(shí)際電路中證明這個(gè)電路如同預(yù)計(jì)的一樣,是不穩(wěn)定的。振蕩的準(zhǔn)確頻率與SPICE 仿真結(jié)果并不相同,這是因?yàn)槭褂昧藙e的晶體管來(lái)代替T1,就算實(shí)驗(yàn)室有2N3906 可用的話,也無(wú)法得到2N3906 在 SPICE 模型中所具有的確切參數(shù)。


圖5.14:“實(shí)際瞬態(tài)穩(wěn)定性測(cè)試結(jié)果” –––– 緩沖器拓?fù)?w/o 補(bǔ)償

為進(jìn)一步進(jìn)行我們的一階穩(wěn)定性分析,我們需要從數(shù)據(jù)資料中找到OPA364 的Aol 曲線,曲線如圖5.15 所示。


圖5.15:OPA364 數(shù)據(jù)資料Aol 曲線

圖字(上下、左右):開(kāi)環(huán)增益/相位與頻率關(guān)系、電壓增益(dB)、相位 (°)、頻率 (Hz)。
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