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7樓
發(fā)表于 2012-6-30 11:06:57
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因?yàn)楣β?/font>MOSFET管柵源間的阻抗很高,工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的漏源間電壓的突變會(huì)通過(guò)極間電容耦合到柵極而產(chǎn)生相當(dāng)幅度的VGS脈沖電壓,正方向的VGS脈沖電壓雖然達(dá)不到損壞器件的程度,但會(huì)導(dǎo)致器件的誤導(dǎo)通。為此要適當(dāng)?shù)亟档蜄艠O驅(qū)動(dòng)電路的阻抗,在柵源之間并接阻尼電阻。還給感性負(fù)載提供續(xù)流通道。 |
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