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2025年11月23日至25日，北京國(guó)家會(huì)議中心將迎來(lái)全球半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)盛會(huì)——中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)(ICCHINA)。作為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)主辦的權(quán)威展會(huì)，本屆展覽會(huì)以“集合全行業(yè)資源·成就大產(chǎn)業(yè)對(duì)接”為主題，全面展示半導(dǎo)體設(shè)備、材料及第三代半導(dǎo)體的前沿技術(shù)與產(chǎn)業(yè)生態(tài)。 第三代半導(dǎo)體：重塑未來(lái)科技格局以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料成為展區(qū)亮點(diǎn)。與傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體相比，這些材料具有高壓、高頻、高溫和高效率的顛覆性性能，正在重塑新能源、5G通信、電動(dòng)汽車、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域的技術(shù)格局。展會(huì)將首次展示8英寸SiC晶圓量產(chǎn)技術(shù)，以及面向超高壓電網(wǎng)的20kV SiC MOSFET，標(biāo)志著行業(yè)從“實(shí)驗(yàn)室”邁向“規(guī)�；钡年P(guān)鍵拐點(diǎn)。 展出范圍與技術(shù)亮點(diǎn)
中國(guó)企業(yè)：從跟跑到領(lǐng)跑中國(guó)廠商在本次展會(huì)上的突破值得期待。中芯國(guó)際將首發(fā)國(guó)產(chǎn)8英寸SiC生產(chǎn)線技術(shù)，打破海外壟斷；三安光電展示全球首款1200V GaN-on-Si汽車芯片；華為則推出支持6G太赫茲頻段的“天罡2.0”射頻芯片。這些成果彰顯了中國(guó)在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的快速進(jìn)步。 綠色制造與供應(yīng)鏈重構(gòu)響應(yīng)全球低碳轉(zhuǎn)型需求，展會(huì)將呈現(xiàn)全球首臺(tái)零碳足跡刻蝕機(jī)，結(jié)合AI動(dòng)態(tài)能耗調(diào)節(jié)技術(shù)。在地緣政治背景下，供應(yīng)鏈本土化成為焦點(diǎn)，北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體等中國(guó)企業(yè)將展示全鏈條國(guó)產(chǎn)設(shè)備，覆蓋刻蝕、薄膜沉積等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。 互動(dòng)體驗(yàn)與技術(shù)交流為提升觀展體驗(yàn)，組委會(huì)設(shè)計(jì)了多項(xiàng)互動(dòng)環(huán)節(jié)：VR模擬SiC晶圓制造流程、GaN快充拆解實(shí)驗(yàn)室等沉浸式體驗(yàn)。同期將舉辦多場(chǎng)高峰論壇，包括“第三代半導(dǎo)體與碳中和”“GaN射頻前沿”等主題，匯聚IEEE專家與行業(yè)領(lǐng)袖。 2025北京半導(dǎo)體材料展覽會(huì)不僅是技術(shù)展示的舞臺(tái)，更是全球產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)的起點(diǎn)。從材料創(chuàng)新到設(shè)備革新，從本土化布局到綠色轉(zhuǎn)型，這場(chǎng)盛會(huì)將為從業(yè)者、投資者與科技愛(ài)好者揭開(kāi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)十年的發(fā)展藍(lán)圖。 展位申請(qǐng)：企業(yè)可預(yù)訂展位展示技術(shù)（需提前聯(lián)系主辦方預(yù)留黃金展位） 參展報(bào)名：張主任185 3830 4525同微信 |
