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東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2025-5-26 11:03    發(fā)布者:IC電子圈
四款新器件助力提升工業(yè)設(shè)備的效率和功率密度
東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù),并采用緊湊型DFN8×8封裝,適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。


四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件,與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比,其體積減小90%以上,并提高了設(shè)備的功率密度。表貼封裝還允許使用比通孔型封裝更小的寄生阻抗[2]元件,從而降低開關(guān)損耗。DFN8×8是一種4引腳[3]封裝,支持對其柵極驅(qū)動的信號源端子進(jìn)行開爾文連接。這減少了封裝內(nèi)部源極線電感的影響,實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)性能;以TW054V65C為例,與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品相比[5],其開通損耗降低了約55%,關(guān)斷損耗降低約25%[4],有助于降低設(shè)備中的功率損耗。
未來東芝將繼續(xù)擴(kuò)大其SiC功率器件產(chǎn)品線,為提高設(shè)備效率和增加功率容量做出貢獻(xiàn)。




測量條件:VDD=400V、VGS=18V/0V、ID=20A、Ta=25°C、L=100μH,Rg(外部柵極電阻)=4.7Ω
續(xù)流二極管采用各產(chǎn)品源極和漏極之間的二極管。(截至2025年5月,東芝對比結(jié)果)
圖1 TO-247與DFN8×8封裝的導(dǎo)通損耗(Eon)和關(guān)斷損耗(Eoff)比較
  • 應(yīng)用:
  • 服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等的開關(guān)電源
  • 電動汽車充電站
  • 光伏逆變器
  • 不間斷電源
  • 特性:
  • DFN8×8表面貼裝封裝,實(shí)現(xiàn)設(shè)備小型化和自動化組裝,低開關(guān)損耗
  • 東芝第3代SiC MOSFET
  • 通過優(yōu)化漂移電阻和溝道電阻比,實(shí)現(xiàn)漏源導(dǎo)通電阻的良好溫度依賴性
  • 低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷
  • 低二極管正向電壓:VDSF=–1.35V(典型值)(VGS=–5V)
  • 主要規(guī)格:
(除非另有說明,Ta=25°C)




  • 相關(guān)鏈接
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注:
[1] 截至2025年5月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 一種信號源引腳靠近FET芯片連接的產(chǎn)品。
[4] 截至2025年5月,東芝測量值。請參考圖1。
[5] 采用TO-247封裝且無開爾文連接的、具有同等電壓和導(dǎo)通電阻的650V東芝第3代SiC MOSFET。
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TW031V65C
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW031V65C.html
TW054V65C
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TW092V65C
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TW123V65C
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SiC功率器件
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