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從eMMC到NAND,嵌入式系統存儲的軟件優化策略

發布時間:2025-4-25 11:06    發布者:秦徹呀呀呀
關鍵詞: 系統存儲
嵌入式系統開發領域,存儲器作為信息交互的核心載體,其技術特性直接影響著系統性能與穩定性。然而,有些人在面對Linux、安卓等復雜操作系統環境時,理解其存儲機制尚存局限,為突破這些技術瓶頸,飛凌嵌入式希望通過對存儲相關知識的分享,助力大家構建完整的存儲知識體系框架。
首先,嵌入式場景中常用來存儲數據的介質分為兩類:
  • Managed NAND,以eMMC(embedded Multi-Media Card)TF卡、SD卡為主內部帶有存儲管理控制器。
  • Raw NAND,以NAND為主的未帶有存儲管理功能,只包含簡單IO邏輯控制。
  • 上圖描述了NAND存儲和eMMC存儲的關系,NAND Controller代指核心板的CPU,NAND指實際參與存儲的區域,由此看出實際上eMMC和NAND的區別在于存儲管理控制是在eMMC內部還是核心板的 CPU。存儲管理主要包括功能:壞塊管理、ECC校驗、磨損均衡、數據保持和地址管理及映射等。

    01存儲的相關概念存儲類型分為SLC、MLC、TLC、QLC。嵌入式常用類型低存儲容量一般為SLC和MLC,高存儲容量一般是TLC。

    SLC (Single-Level Cell) 速度快,壽命長,價格貴,理論擦寫次數在10萬次左右。

    MLC (Multi-Level Cell) 速度較快,壽命較長、價格較貴,理論擦寫次數在3000-5000次。

    TLC (Trinary-Level Cell) 速度較慢,壽命較短、價格最便宜,理論擦寫次數在1000-3000次。

    QLC (Quad-Level Cell) 容量可以做的更大,成本上更低,劣勢就是P/E壽命更短。

    pSLC (pseudo SLC) 以 MLC的FLASH為基礎,但在每個Cell中只存1 bit而不是2 bit數據。由于在同一個Cell中跟SLC一樣只存儲一個bit,但又不是真的 SLC,所以稱之pSLC。依上述原理,若將MLC用做pSLC,存儲空間將減半,壽命通常可以提升到3萬次左右。


    P/E (Program/Erase Count) :擦寫壽命。耐用性兩個指標之一。

    TBW (Total Bytes Written) :總寫入量。是廠商用以界定質保期的數值,即超過了這個數值的寫入量之后,廠商就不再給予質保服務。耐用性兩個指標之一。

    FW (Firmware) :由于eMMC內部控制器屬于軟件編程控制器,會需要固件,eMMC在存儲廠家出廠前已經燒錄對應固件。

    WA (Write amplification) :寫放大。表示實際寫入的物理數據量是寫入數據量的多少倍,即:閃存寫入的數據量÷主控寫入的數據量 = 寫放大。

    GC(Garbage Collection) :垃圾回收。NAND介質的存儲寫入是按照頁(Page)寫入,是按照塊(Block)擦除。

    02eMMC和NAND的差異(1)eMMC與NAND對比

  • (2) eMMC的相關特點

    • eMMC使用單獨的硬件控制器對存儲進行管理,相比于Linux下NAND驅動管理可靠性更高。

    • 內部固件集成多種功能:使用壽命等健康信息記錄、根據不同的場景動態調整內部存儲策略。

    • 接口標準,各廠家各容量兼容性好。

    • eMMC的存儲壽命普遍不如NAND壽命長。相比于NAND大部分使用SLC或者MLC,eMMC大部分是MLC或者TLC,eMMC相對于NAND單位壽命會低;但是由于eMMC的存儲容量一般較大,一定程度上抵消單位壽命低的劣勢。

    (3)NAND的相關特點
    • 系統的驅動主要是由SoC廠家及系統上游邏輯決定,針對不同的NAND存儲介質無法發揮出最大優勢,或者存在驅動邏輯兼容性問題。

    • NAND容易出現位翻轉、壞塊等情況,相比eMMC內部管理,CPU管理需要占用較大系統開銷用來維護存儲內容。

    • 接口標準采用ONFI接口協議,但是不同廠家的NAND的頁、OOB區及塊大小等配置存在差異,如果物料停產需要換型會存在鏡像不兼容風險。

    • NAND的布局控制是由CPU管理,對應的分區管理和邏輯定制會有很大的靈活性,根據實際應用場景制定不同的管理策略。

    • NAND單位存儲壽命較長。

    綜上,產品存儲選型建議使用帶有管理功能的eMMC。
    03存儲使用建議[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]
    • eMMC:建議預留25%空間,避免頻繁觸發GC。

    • 由于存儲的最小寫入單元是Page,最小的擦除單元是Block。以16K page舉例,如果單次寫入小于 一個Page的數據,會造成寫放大。如果單次寫入數據遠遠小于Page的大小,寫放大會很嚴重。最終會導致壽命大大縮短。建議對小數據先通過DDR內存進行緩沖,緩沖一定數據再組合寫入。

    • 使用中如果出現異常斷電,定期需要對文件系統使用工具掃描修復,避免由于異常斷電數據未及時 保存導致文件系統異常。如果是頻繁異常掉電場景,可以增加硬件加掉電保護措施,用來保證系統穩定性。

    • 產品設計初期,需要結合實際應用場景存儲數據的頻率,為保證產品壽命要求,評估選擇合適的存儲類型和容量。


    04飛凌嵌入式賦能
    (1)針對eMMC,根據對壽命及健康信息讀取分析,讓應用掌握更全面的存儲信息,并作出合理的調整。

    • 應用可以實時監控當前的存儲壽命,用來在設備存儲壽命降低到自定義閾值時發送報警信號做 特定處理。

    • 應用可以實時查看系統的健康信息,評估存儲的寫放大系數,用來評估應用軟件升級對存儲帶 來的影響,進而估算剩余壽命。


    (2)針對NAND,根據增加手段統計實際NAND的擦寫、搬移、標記等信息,給出應用IO操作改善建議。

    (3)針對所有類型存儲,根據對終端設備不同使用場景特點采集分析,評估出更適合場景的應用編寫參考。

    • 終端實際應用場景主要集中在:日志循環存儲、應用關鍵數據參數存儲及緩沖數據。
    • 日志循環存儲特點:循環擦寫,寫入頻繁,讀取不頻繁。和文件系統同時存在,會出現寫頻繁 和只讀混放數據,會影響整體的穩定性。舉例:大部分eMMC的損耗平衡特性是全盤范圍,軟件上的文件系統分區未實現想要的數據隔離效果,這個其實可以在初期評估階段解決。
    • 關鍵數據特點:小數據量狀態信息,比較重要,信息量不大。
    • 緩沖數據特點:順序寫入,整體擦除。

    實際軟件開發過程中,根據如上數據特點,為保證產品穩定性在如下3個階段給出優化方案:

    • 產品開發前做對應存儲方案選型,能夠提前評估出風險。通過實際應用場景產品的目標壽命, 評估出存儲類型、文件系統類型、應用數據讀寫建議及燒錄方式等。


    • 產品開發完成前做實際存儲的優化。產品的樣機測試階段需要對系統實際讀寫頻次、大小做接 口數據統計分析,對存儲做數據穩定性分析(例:NAND存儲變位及壞塊分析)。通過分析給 出讀寫數據單元大小優化建議、連續/隨機讀寫優化建議。

    • 產品部署前做最終的預估壽命評估。結合最終優化效果給出實際應用中的一個壽命預估。


    除上述優化策略外,不同eMMC、NAND廠家在滿足接口協議標準前提下提供了不同的優化特性,部分優化特性需要結合操作系統修改才能發揮出更好的效果。

    05總 結存儲穩定性直接關乎到最終產品的穩定性,本文圍繞eMMC和NAND的特性做了對比介紹,目的是幫助研發工程師在實際開發產品過程中更簡單、更高效。


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