MOSFET晶體管IPC100N04S5L-1R5——STM8S105K4T6C（微控制器MCU）LPC1765FBD100

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一、IPC100N04S5L-1R5：40V，OptiMOS™-5 汽車MOSFET晶體管，PG-TDSON-8
型號：IPC100N04S5L-1R5
封裝：PG-TDSON-8
類型：汽車MOSFET晶體管
IPC100N04S5L-1R5——產(chǎn)品屬性：
系列：OptiMOS™
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：100A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.5 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 60µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：5340 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：115W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8-34
封裝/外殼：8-PowerTDFN

二、STM8S105K4T6C：16MHz，8位微控制器IC，LQFP-32
型號：STM8S105K4T6C
封裝：LQFP-32
類型：8位微控制器IC
STM8S105K4T6C——產(chǎn)品屬性：
核心處理器：STM8
內(nèi)核規(guī)格：8 位
速度：16MHz
I/O 數(shù)：25
程序存儲容量：16KB（16K x 8）
程序存儲器類型：閃存
EEPROM 容量：1K x 8
RAM 大小：2K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：2.95V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 7x10b
振蕩器類型：內(nèi)部
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：32-LQFP

三、LPC1765FBD100：100MHz，32位單核 ARM® Cortex®-M3 微控制器IC，LQFP-100
型號：LPC1765FBD100
封裝：LQFP-100
類型：32位單核微控制器IC
LPC1765FBD100——產(chǎn)品屬性：
核心處理器：ARM® Cortex®-M3
內(nèi)核規(guī)格：32 位單核
速度：100MHz
I/O 數(shù)：70
程序存儲容量：256KB（256K x 8）
程序存儲器類型：閃存
RAM 大小：64K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：2.4V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 8x12b; D/A 1x10b
振蕩器類型：內(nèi)部
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：100-LQFP（14x14）

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