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實驗名稱：壓電薄膜變形鏡加工及閉環(huán)實驗 測試設(shè)備：高壓放大器、波前傳感器、壓電薄膜變形鏡等。 實驗過程： 圖1：（a）加工變形鏡的示意圖（b）變形鏡實物圖 根據(jù)優(yōu)化設(shè)計加工了尺寸為100*100mm的壓電薄膜變形鏡，如圖1所示，襯底層厚度為5mm，壓電層厚度為0.4mm，電極分布為8*8，單個電極尺寸9*9mm。 由于基底與陶瓷片粘結(jié)、電極分割等工藝過程會引入頻率較高、梯度較大的面形變化，需要將粘結(jié)和電極分割過程提前到冷加工之前。此外，為了保證面形的穩(wěn)定性，在冷加工前需要加入退應力的工藝環(huán)節(jié)，加工出來的PFDM樣件如圖1（b）所示。 圖2：（a）100*100mm單元PFDM樣件實物照片（b）100V驅(qū)動電壓下測量得到64個驅(qū)動單元的響應函數(shù) 搭建實如圖2（a）所示的實驗平臺，依次對64個驅(qū)動單元施加100V電壓，獲得個64驅(qū)動單元的響應函數(shù)，如圖（b）所示，響應函數(shù)的一致性較好。配套相應的高壓放大器、波前傳感器及閉環(huán)控制軟件開展了聯(lián)機波前閉環(huán)校正實驗。閉環(huán)校正前的波前畸變P_V值為2.64λ、RMS為0.56λ，閉環(huán)校正后的波前畸變P_V值為0.36λ，RMS為0.1λ，閉環(huán)效果較好，如圖3（a）和（b）所示。 圖3：（a）閉環(huán)校正前波前畸變P_V值為2.64λ、RMS為0.56λ。（b）閉環(huán)校正后波前畸變P_V值為0.36λ，RMS為0.1λ 實驗結(jié)果： 對壓電薄膜變形鏡樣件進行了實驗研究，閉環(huán)效果較好，對響函做本征模式分析，認為變形鏡在材料選擇、加工工藝及裝夾方式等方面還存在一定的改進余地。 高壓放大器推薦：ATA-7030 圖：ATA-7030高壓放大器指標參數(shù) 本資料由Aigtek安泰電子整理發(fā)布，更多案例及產(chǎn)品詳情請持續(xù)關(guān)注我們。西安安泰電子Aigtek已經(jīng)成為在業(yè)界擁有廣泛產(chǎn)品線，且具有相當規(guī)模的儀器設(shè)備供應商，樣機都支持免費試用。高壓放大器https://www.aigtek.com/products/bk-gyfdq.html |
