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德國亥姆霍茲柏林材料與能源研究中心（HZB）的研究團隊開發了一種特殊蝕刻技術，制造出介孔硅——一種充滿納米級孔隙的薄層材料。通過研究其電導率和熱導率，團隊首次揭示了介孔硅中電荷傳輸的基本機制，為光伏、熱管理和納米電子學等領域的應用開辟了新途徑。 介孔硅的獨特結構使其具有巨大的內表面積和極低的熱導率，成為熱絕緣材料的理想候選。這一特性尤其適用于量子計算機中的量子比特，因為量子比特需要在極低溫（低于1開爾文）下運行，而介孔硅能有效防止熱量干擾，確保量子信息的穩定存儲。 研究團隊發現，介孔硅中的電荷傳輸主要由擴展波動態的電子主導，而非傳統認為的局域態電子跳躍。這一發現通過塞貝克效應測量得到驗證，表明晶格振動在電荷傳輸中不起作用。這一突破性理解為設計新型半導體材料提供了理論支持。 此外，介孔硅的生物相容性和高表面積特性使其在生物傳感器、電池陽極和電容器等領域也具有廣泛應用潛力。研究團隊認為，通過有針對性地調控介孔硅的無序性，可以開發出適用于光伏、熱管理甚至量子比特的新型半導體材料。 這項研究不僅推動了介孔硅在量子計算中的應用，還為半導體技術的未來發展提供了新的可能性。 《賽特科技日報》網站（https://scitechdaily.com） |
