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~同時加快車載GaN器件的開發速度，以盡快投入量產~ 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優異的電流容量和開關特性，因此在工業設備、車載設備以及需要支持大功率的應用領域被越來越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導體后道工序供應商（OSAT）擁有豐富業績的日月新半導體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡稱“ATX”）。 為了實現無碳社會，“提高用電量占全球一大半的電源和電機的效率”已成為全球性的社會問題。功率元器件是提高其效率的關鍵，SiC（碳化硅）、GaN等新材料有望進一步提高各種電源的效率。ROHM于2023年4月將650V耐壓的第1代GaN HEMT投入量產，并于2023年7月將柵極驅動器和650V耐壓GaN HEMT一體化封裝的Power Stage IC投入量產。為了應對大功率應用中的進一步小型、高效率化的市場要求，ROHM采取在以往的DFN8080封裝基礎上追加的形式來強化650V GaN HEMT的封裝陣容。在TOLL封裝中內置第2代元件并實現產品化。 新產品在TOLL封裝內置第2代GaN on Si芯片，在與導通電阻和輸入電容相關的器件性能指標 (RDS（ON）×Qoss*2) 方面，數值表現達到業界先進水平。這將有助于需要高耐壓且高速開關的電源系統進一步節能和小型化。新產品已于2024年12月投入量產（樣品價格 3,000日元/個，不含稅），并已開始電商銷售，通過電商平臺均可購買。 關于新產品的量產，ROHM利用其在垂直統合型一體化生產體系中所積累的元器件設計技術和自有優勢，進行了相關的設計和規劃，并于2024年12月10日宣布作為與臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，以下簡稱“TSMC”）合作的一環，前道工序在TSMC生產，后道工序在ATX生產。另外，ROHM還計劃與ATX合作生產車載GaN器件。預計從2026年起，GaN器件在汽車領域的普及速度將會加快，ROHM計劃在加強內部開發的同時，進一步加深與這些合作伙伴之間的關系，以加快車載GaN器件投入市場的速度。 日月新半導體（威海）有限公司董事兼總經理廖弘昌表示：“ROHM擁有從晶圓制造到封裝的全部生產設備，并擁有非常先進的制造技術，很高興ROHM將部分生產外包給我們。我們從2017年開始與ROHM進行技術交流，目前正在繼續探索更深合作的可能性。ATX在GaN器件后道工序制造方面的實際業績和技術實力得到ROHM的認可，從而促成了本次合作。雙方還計劃針對ROHM目前正在開發的車載GaN器件也開展合作，未來也會繼續加深雙方的合作伙伴關系，以促進各領域的節能，為實現可持續發展的社會做出貢獻。” ROHM Co., Ltd. AP生產本部本部長藤谷諭表示：“非常高興ROHM 的TOLL 封裝650V GaN HEMT能夠以令人滿意的性能投入量產。ROHM不僅提供GaN器件，還提供其與融入自身模擬技術優勢的IC等元器件相結合的電源解決方案，而且還會再將這些設計過程中積累的專業知識和理念應用到元器件的設計中。通過與ATX等技術實力雄厚的OSAT合作，ROHM不僅能夠跟上快速增長的GaN市場的步伐，同時還能不斷向市場推出融入ROHM優勢的產品。未來，我們將繼續通過提高GaN器件的性能，促進各種應用產品的小型化和效率提升，為豐富人們的生活貢獻力量。” ＜什么是EcoGaN™＞ EcoGaN™是通過更大程度地發揮GaN的性能，助力應用產品進一步節能和小型化的ROHM GaN器件，該系列產品有助于應用產品進一步降低功耗、實現外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數量等。 ・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。 ＜產品陣容＞ ＜應用示例＞ 適用于服務器、AC適配器（USB充電器）、通信基站電源、工業設備電源、PV逆變器、ESS（Energy Storage System / 儲能系統）等輸出功率500W～1kW級的廣泛電源系統。 ＜電商銷售信息＞ 開始銷售時間：2025年1月起 新產品在電商平臺將逐步發售。 ・產品型號：GNP2070TD-ZTR ＜關于日月新半導體（威海）有限公司＞ ATX位于中國山東省威海市，是從事功率元器件的組裝和測試的OSAT企業。公司可以生產MOSFET、IGBT、SiC、GaN等50多種封裝，年產能超過57億枚。目前產品已被廣泛應用于工業設備、車載設備、可再生能源（太陽能發電等）、消費電子等領域，尤其是在電動汽車控制領域，在國際品牌市場擁有很高的市場份額。 ATX與全球排名前十的功率元器件企業建立了長期且緊密的合作關系，是一家擁有自主知識產權以及基于這些知識產權的核心技術的、下一代半導體元器件開發方面的先進企業。 如需了解更多信息，請訪問ATX官網： http://www.atxwh.com ＜術語解說＞ *1) GaN HEMT GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料。與普通的半導體材料——Si（硅）相比，具有更優異的物理性能，目前，因其具有出色的高頻特性，越來越多的應用開始采用這種材料。 HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子遷移率晶體管）的英文首字母縮寫。 *2) RDS（ON）×Qoss 評估元器件性能的指標，Qoss是指從輸出端看的漏極源極間的總電荷量。另外，RDS（ON）（導通電阻）是使MOSFET啟動（導通）時漏極和源極之間的電阻值。該值越小，運行時的損耗（電力損耗）越少。這兩者相乘得到的值越低，開關工作效率越高，開關損耗越少。 |
