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LMP92066PWPR/DRV10983ZPWPR原理圖,IKA15N60T/STGB19NC60KDT4絕緣柵雙極晶體管(IGBT)規(guī)格

發(fā)布時間:2025-1-13 17:45    發(fā)布者:Mindy—mjd
LMP92066PWPR 是一款高度集成的溫控型雙 DAC。兩個 DAC 均可通過存儲在內(nèi)部 EEPROM 中的兩個獨立的、用戶定義的溫度-電壓轉(zhuǎn)換函數(shù)進行編程,從而無需額外的外部電路即可校正任何溫度影響。
LMP92066PWPR DAC原理圖

特點
Intermal 12 位溫度傳感器
精度(- 40°C 至 120°C),+3.2°C
EEPROM 中存儲兩個獨立的傳輸函數(shù)
雙模擬輸出
兩個 12 位 DAC
輸出范圍 0 V 至 5 V 或 0 V 至 5 V
耐高電容負載,高達 10 μF
校準后精度 +2.4 mV(典型值)
輸出開/關控制開關時間 50 ns
開關時間 50 ns(典型值)
RDSON 5 Q(最大值)
IC 接口: 標準和快速
九個可選從機地址
超時功能
VDD 電源范圍 4.75 V 至 5.25 V
指定溫度范圍 - 25°C 至 120°C
工作溫度范圍 - 40°C 至 125°C

應用
GaN 或 LDMOS PA 偏壓控制器
傳感器溫度補償
定時電路溫度補償

明佳達LMP92066PWPR DAC、DRV10983ZPWPR BLDC電機驅(qū)動器,IKA15N60T/STGB19NC60KDT4絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。
DRV10983ZPWPR器件是一款具有集成功率 MOSFET 的三相無傳感器電機驅(qū)動器,可提供高達 2A 的持續(xù)驅(qū)動電流。該器件專為成本敏感型、低噪聲、低外部組件數(shù)量 應用而設計低功耗是一個關鍵問題。該器件采用專有無傳感器控制方案來提供持續(xù)正弦驅(qū)動,可大幅降低換向過程中通常會產(chǎn)生的純音。該器件的接口設計簡單而靈活。可直接通過 PWM、模擬、或 I2C 輸入控制電機。可通過 FG 引腳或 I2C 提供電機速度反饋。
DRV10983ZPWPR器件安全功能包括 一個集成降壓穩(wěn)壓器,可高效地將電源電壓降至 5V 或 3.3V,從而為內(nèi)外部電路供電。該器件提供睡眠模式和待機模式兩種型號,可在電機停止運轉(zhuǎn)時實現(xiàn)節(jié)能。待機模式 (3mA) 型號會使穩(wěn)壓器保持運行,而休眠模式 (180μA) 型號會使穩(wěn)壓器停止工作。在使用穩(wěn)壓器 為外部 微控制器供電的應用中使用待機模式型號。

特性
輸入電壓范圍:8 至 28V
總驅(qū)動器 H + L rDS(on):250mΩ
驅(qū)動電流:2A 持續(xù)繞組電流(峰值 3A)
無傳感器專有反電動勢 (BEMF) 控制方案
連續(xù)正弦 180° 換向
無需外部感測電阻
用戶可通過添加外部感應電阻以靈活監(jiān)視為電機提供的功率
靈活的用戶接口選項:
I2C 接口:訪問命令和反饋寄存器
專用的 SPEED 引腳:接受模擬或 PWM 輸入
專用的 FG 引腳:提供 TACH 反饋
可通過 EEPROM 定制旋轉(zhuǎn)曲線
使用 DIR 引腳進行正向/反向控制
集成了降壓穩(wěn)壓器,可高效地為內(nèi)部和外部電路提供電壓 (5V 或 3.3V)
電源電流為 3mA 待機型號 (DRV10983)
電源電流為 180 μA 睡眠型號 (DRV10983Z)
過流保護
鎖定檢測
電壓浪涌保護
欠壓閉鎖 (UVLO) 保護
熱關斷保護
耐熱增強型 24 引腳散熱薄型小外形尺寸 (HTSSOP)

應用
• 設備風扇
• 制熱、通風與空調(diào)控制 (HVAC)

DRV10983ZPWPR BLDC 電機驅(qū)動器原理圖


IKA15N60T是一款高性能絕緣柵雙極晶體管(IGBT),屬于 TRENCHSTOP™ 系列。該芯片集成了一個 600V、15A 的 IGBT 和一個反向并聯(lián)的快速恢復發(fā)射極控制二極管,采用 TO-220 Full-Pak 封裝。

參數(shù)
集電極-發(fā)射極電壓:600V
直流集電極電流:15A(TC = 25°C),10.6A(TC = 100°C)
脈沖集電極電流:45A
二極管正向電流:17.2A(TC = 25°C),10.8A(TC = 100°C)
二極管脈沖電流:45A
柵極-發(fā)射極電壓:±20V
短路耐受時間:5μs(VGE = 15V, VCC ≤ 400V, Tj ≤ 150°C)
最大功耗:35.7W(TC = 25°C)
工作結溫:-40°C 至 +175°C
存儲溫度:-55°C 至 +150°C
隔離電壓:2500Vrms

特點
非常低的 VCEsat:1.5V(典型值)
低開關損耗
易于并聯(lián)開關:由于 VCEsat 的正溫度系數(shù)
非常軟、快速恢復的反向并聯(lián)發(fā)射極控制二極管
高魯棒性,溫度穩(wěn)定的行為
低電磁干擾(EMI)
低柵極電荷
參數(shù)分布非常緊密

應用
空調(diào)
逆變器


STGB19NC60KDT4是一款高性能絕緣柵雙極晶體管(IGBT),屬于 600V IGBT with Trench Technology 系列。該芯片集成了一個 600V、20A 的 IGBT 和一個反向并聯(lián)的快速恢復二極管,采用 D2PAK 封裝。這些器件是采用先進的 PowerMESH™ 技術開發(fā)的超高速 IGBT。這種工藝保證了開關性能和低導通行為之間的出色權衡。

功能
低導通壓降 (VCE(sat))
CRES / CIES 比率低(無交叉?zhèn)鲗?a href="http://m.qingdxww.cn/keyword/電感" target="_blank" class="relatedlink">電感)
短路耐壓時間 10 μs
與超高速續(xù)流二極管共同封裝的 IGBT

規(guī)格
產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
技術: Si
封裝 / 箱體: D2PAK-3
安裝風格: SMD/SMT
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 2 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 35 A
Pd-功率耗散: 125 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 35 A
高度: 4.6 mm
長度: 10.4 mm

應用
高頻逆變器
電機驅(qū)動器

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