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大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)IC評(píng)估板方案

發(fā)布時(shí)間:2025-1-9 18:32    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: NCP5156 , 隔離驅(qū)動(dòng)
大聯(lián)大旗下世平推出基于安森美(onsemi)NCP5156x芯片的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)IC評(píng)估板方案。


圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)IC評(píng)估板方案的展示板圖

在緊湊尺寸下實(shí)現(xiàn)高功率密度,已成為當(dāng)前工業(yè)電源設(shè)計(jì)的核心目標(biāo)。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),工程師必須考慮設(shè)計(jì)的各個(gè)方面。在這種背景下,大聯(lián)大世平基于onsemi NCP5156x芯片推出雙通道隔離驅(qū)動(dòng)IC評(píng)估板方案,旨在通過出色的隔離性能、高效的驅(qū)動(dòng)能力以及便捷的評(píng)估環(huán)境,縮短電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期。


圖示2-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)IC評(píng)估板方案的場景應(yīng)用圖

NCP5156x系列是onsemi推出的一款隔離式雙通道閘極驅(qū)動(dòng)器,具備4.5A/9A的拉電流和灌電流峰值,專為快速開關(guān)驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiC設(shè)計(jì)。NCP5156x系列提供短且匹配的傳播延遲,獨(dú)立的5kVRMS內(nèi)部電流隔離輸入到每個(gè)輸出以及兩者之間的內(nèi)部功能隔離輸出驅(qū)動(dòng)器,允許工作電壓高達(dá)1500VDC。另外,此驅(qū)動(dòng)器具有極高的靈活性,可配置為兩個(gè)低側(cè)開關(guān)、兩個(gè)高側(cè)開關(guān),或帶有可編程死區(qū)時(shí)間的半橋驅(qū)動(dòng)器。通過ENA/DIS引腳,用戶可以輕松地在ENABLE和DISABLE模式中分別設(shè)置為高電平或低電平,從而同時(shí)啟用或禁用兩個(gè)輸出。

除此之外,NCP5156x還提供其他重要的保護(hù)功能,例如閘極驅(qū)動(dòng)器和死區(qū)(Dead Zone)的獨(dú)立欠壓鎖定時(shí)間調(diào)整功能。


圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)IC評(píng)估板方案的方塊圖

隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,業(yè)內(nèi)對(duì)此類高性能的隔離驅(qū)動(dòng)IC需求將不斷增長。未來,大聯(lián)大世平將繼續(xù)與onsemi等全球先進(jìn)的半導(dǎo)體供應(yīng)商緊密合作,不斷推出更多創(chuàng)新、實(shí)用的解決方案,滿足市場對(duì)高效電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì)需求。

核心技術(shù)優(yōu)勢(shì):
onsemi NCP5156x驅(qū)動(dòng)IC具有以下技術(shù)優(yōu)勢(shì):
        設(shè)計(jì)彈性優(yōu)(Flexible)可用于雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋閘極驅(qū)動(dòng);
        兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器均具有獨(dú)立的UVLO保護(hù);
        輸出電源電壓范圍為6.5V至30V,其中驅(qū)動(dòng)電壓5V、8V用于一般MOSFET、13V和17V用于SiC MOSFET;
        4.5A峰值拉電流(Sink)、9A峰值灌電流(Source)輸出;
        共模瞬態(tài)抗擾度CMTI >200V/ns;
        傳播延遲典型值為36ns;
        每個(gè)通道有5ns最大延遲匹配,5ns最大脈寬失真;
        使用者可程式輸入邏輯通過ANB的單輸入或雙輸入模式(僅限NCP51561/563)啟用或停用模式;
        3V至5.0V VDD電源范圍,最高30V VCCA/VCCB電源范圍;
        4.5A和9A拉電流/灌電流驅(qū)動(dòng)能力;
        TTL相容輸入;
        允許輸入電壓高達(dá)18V,適用于INA、INB、和ANB腳位;
        用于死區(qū)時(shí)間的板載微調(diào)電位器程式設(shè)計(jì);
        用INA、INB和ENA/DIS的3位接頭引腳;
        2位接頭,用于ANB引腳;
        支持MOSFET和SiC半橋測試;
        連接到外部功率級(jí)的MOSFET,輸入電壓為600VDC- 800VDC(最大可允許900VDC)。

方案規(guī)格:
        電源電壓:輸入側(cè)VDD 3.0V(最小)~ 5.0V(最大);
        電源電壓—驅(qū)動(dòng)器側(cè)如下可選:
        5V UVLO版本VCCA、VCCB:6.5V(最小)~30V(最大);
        8V UVLO版本VCCA、VCCB:9.5V(最小)~30V(最大);
        13V UVLO版本VCCA、VCCB:14.5V(最小)~30V(最大);
        17V UVLO版本VCCA、VCCB:18.5V(最小)~30V(最大);
        INA、INB和ANB引腳上的邏輯輸入電壓VIN:0V(最小)~ 18V(最大);
        ENA/DIS VEN腳位上的邏輯輸入電壓:0V(最小)~5.0V(最大);
        操作溫度Tj:-40°C(最小)~+125°C(最大)。

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