NOR存儲(chǔ)器 MT25QU256AbA1EW7-0SIT，88E6320-A0-NAZ2C000以太網(wǎng)收發(fā)器，TPS53830RWZR降壓轉(zhuǎn)換器

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明佳達(dá)，星際金華供應(yīng) NOR存儲(chǔ)器 MT25QU256AbA1EW7-0SIT，88E6320-A0-NAZ2C000以太網(wǎng)收發(fā)器，TPS53830RWZR降壓轉(zhuǎn)換器

MT25QU256ABA1EW7-0SIT 256Mbit 133MHz 內(nèi)存 IC

產(chǎn)品描述
MT25QU256ABA1EW7-0SIT NOR 閃存最大容量為 2Gb，是可靠代碼存儲(chǔ)（嵌入式系統(tǒng)中的啟動(dòng)、應(yīng)用程序、操作系統(tǒng)和就地執(zhí)行 [XIP] 代碼）的理想之選。

功能特點(diǎn)
兼容 SPI 的串行總線接口
雙通道/四通道 I/O 命令，吞吐量最高可達(dá) 90 MB/s
支持 STR 和 DTR 協(xié)議
易失性和非易失性配置設(shè)置

88E6320-A0-NAZ2C000 7端口以太網(wǎng)收發(fā)器

產(chǎn)品描述
88E6320-A0-NAZ2C000 是 7 端口以太網(wǎng)收發(fā)器。

特點(diǎn)
數(shù)據(jù)中心的工作主力，提供卓越的性能和能效
集成片上加密控制和萬(wàn)兆以太網(wǎng)，實(shí)現(xiàn)線速安全計(jì)算
每個(gè)刀片可同時(shí)執(zhí)行多達(dá) 8 核和 64 個(gè)線程
Sun 刀片透明管理，直接管理每個(gè)服務(wù)器模塊，可無(wú)縫集成到現(xiàn)有管理架構(gòu)中
采用熱插拔磁盤(pán)，刀片上沒(méi)有風(fēng)扇或電源裝置，具有卓越的耐用性

優(yōu)勢(shì)
利用Oracle VM Server for SPARC和Solaris Containers的內(nèi)置、無(wú)成本虛擬化技術(shù)，提高利用率、降低成本并大規(guī)模整合工作負(fù)載
利用閃存固態(tài)硬盤(pán)加快應(yīng)用響應(yīng)時(shí)間并降低能耗

TPS53830RWZR 用于 DDR5 服務(wù)器 DIMM 的高電流 PMIC VQFN-35

產(chǎn)品描述
TPS53830RWZR 是 D-CAP+™ 模式集成降壓轉(zhuǎn)換器，用于 DDR5 DIMM 上供電。它為 DIMM 模塊上的 DRAM 芯片提供 VDD、VDDQ 和 VPP 電壓，并具有可配置的電流能力。大電流軌可配置為 2 相或 2 個(gè)輸出，通過(guò) D-CAP+™ 模式控制提供高達(dá) 12 A（或 6 A + 6 A）的電流。該轉(zhuǎn)換器還采用內(nèi)部補(bǔ)償，便于使用并減少了外部元件。

功能特點(diǎn)
單晶硅設(shè)計(jì)，支持 DDR5 應(yīng)用
3 路輸出，提供 VDD (1.1V)、VDDQ (1.1V) 和 VPP (1.8V)，可選第 4 路輸出 (VDD2)
對(duì)于 3 路輸出，VDD（SWA 雙相）為 12 A，VDDQ（SWC）為 6 A，VPP（SWD）為 5 A。
對(duì)于 4 個(gè)輸出端，VDD1(SWA) 6 A、VDD2(SWB) 6 A、VDDQ(SWC) 6 A 和 VPP(SWD) 5 A
差分遙感： VDD、VDDQ 和 VPP
D-CAP+™ 控制，實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
寬輸入電壓：4.5 V 至 15 V
可編程內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償
每相逐周期電流限制
可編程頻率：500 kHz 至 1.375 MHz
支持 I2C 和 I3C 總線接口，用于遙測(cè)電壓、電流、功率、溫度和故障情況
過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)熱保護(hù)
持久寄存器（黑盒）功能
低靜態(tài)電流
5 mm × 5 mm、35 引腳、QFN PowerPad™ 封裝

應(yīng)用
用于服務(wù)器的 DDR5 DIMM 板載電源