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美國麻省理工學院（MIT）的一支研究團隊在最新一期《自然》雜志上發表了一項創新性的電子堆疊技術研究成果。這項新技術能夠顯著增加芯片上的晶體管數量，為人工智能（AI）硬件的發展提供了更為高效的解決方案。 該電子堆疊技術的核心在于通過高質量的半導體材料層的交替生長，實現了多層芯片的設計。傳統上，芯片上的電路主要在二維平面上進行延展，而MIT的研究團隊則采用了垂直堆疊的方式，將多個功能性層直接堆疊在一起，從而創建了多層芯片。這種設計使得晶體管不僅在數量上有所增加，同時在布局上更加緊湊，從而提高了工作效率。 具體而言，MIT團隊通過精確控制各層半導體材料的生長，克服了傳統芯片制造中面臨的物理極限問題。這種新方法不僅突破了傳統芯片在二維平面上擴展晶體管數量的瓶頸，還顯著提高了不同功能層之間的通信效率。由于層間直接接觸的增加，電子信號在傳遞過程中的延遲被有效降低，從而提升了芯片的整體性能。 研究團隊指出，這一電子堆疊技術的創新之處在于，它摒棄了對硅基板的依賴，允許晶體管、內存及邏輯元件在任何隨機晶體表面上構建。這一轉變不僅提高了設計的靈活性，還使得高性能的半導體材料能夠更好地協同工作，進一步提升了計算性能。 據悉，這項技術的成功應用將為AI硬件的發展注入新的動力。由于晶體管數量的顯著增加，使用這種新型芯片的設備在處理復雜算法時將展現出更加卓越的性能。特別是在實時數據處理、復雜圖形計算等對計算能力要求較高的場景中，這種多層芯片將表現出尤為突出的優勢。 |
