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飛兆半導體650V場截止IGBT 提高功率轉換應用的效率和系統可靠性 新產品能夠應對設計人員的高效、有效功率轉換挑戰 太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應用的設計人員面臨提高能效，滿足散熱法規，同時減少元件數目的挑戰。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發了一系列針對光伏逆變器應用的650V IGBT產品，幫助設計人員應對這一行業挑戰。要了解更多的信息及索取樣品，請訪問公司網頁： http://www.fairchildsemi.com/pf/FG/FGA40N65SMD.html http://www.fairchildsemi.com/pf/FG/FGA60N65SMD.html 飛兆半導體公司的場截止IGBT技術能夠讓設計人員開發出具有更高輸入電壓的高可靠系統設計，同時提供具有低導通損耗和開關損耗的最佳性能。另外，650V IGBT具有大電流處理能力、正溫度系數、嚴格的參數分布，以及較寬的安全工作區等特點。 更高的擊穿電壓改善了寒冷環境溫度下的可靠性，隨著溫度的降低，IGBT和FRD阻斷電壓亦會下降，因而650V IGBT特別適合較冷氣候之下工作的太陽能光伏逆變器。仔細選擇IGBT和續流二極管是獲得最高效率的必要條件，650V IGBT提供了快速和軟恢復特性，能夠降低功率耗散，并減小開啟和關斷損耗。 特性和優勢 • 具有更高的阻斷電壓能力，無需犧牲性能 • 具有正溫度系數，易于并聯工作，可實現不發熱的嵌板應用，防止系統過載 • 大電流容量，實現大功率DC/AC轉換 • 最高結溫：TJ=175oC • 低飽和壓降：Ic=40A / 60A額定電流下，VCE(sat)= 1.9V(典型值) • 高開關速度，可讓系統保持高效率 • 低導通損耗和開關損耗 • 寬安全工作區 – 允許更高的功率耗散 • 嚴格的參數分布 • 滿足RoHS要求 
價格：訂購1,000個 FGA40N65SMD 每個2.98美元 FGA60N65SMD 每個4.03美元 供貨: 按請求提供樣品 交貨期: 收到訂單后8至12周內 產品的 PDF 格式數據表可從此網址獲取： http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA40N65SMD.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA60N65SMD.pdf 查詢更多信息，請聯絡飛兆半導體香港辦事處，電話：852-2722-8338；深圳辦事處，電話：0755-8246-3088；上海辦事處，電話：021-3250-7688；北京辦事處，電話：010-6408-8088 或訪問公司網站：http://www.fairchildsemi.com/cn/。 |
