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ROHM開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

發(fā)布時間:2024-11-11 09:58    發(fā)布者:工程新聞

~助力車載電動壓縮機和工業(yè)設(shè)備逆變器等效率提升~

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業(yè)設(shè)備用逆變器等應用,開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現(xiàn)了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。

此次發(fā)售的產(chǎn)品包括4款分立封裝的產(chǎn)品(TO-247-4L和TO-247N各2款)“RGA80TRX2HR/RGA80TRX2EHR/RGA80TSX2HR/RGA80TSX2EHR”和11款裸芯片產(chǎn)品“SG84xxWN”,預計未來將會進一步擴大產(chǎn)品陣容。

近年來,汽車和工業(yè)設(shè)備朝高電壓化方向發(fā)展,這就要求安裝在車載電動壓縮機、HV加熱器和工業(yè)設(shè)備逆變器等應用中的功率元器件也能支持高電壓。另一方面,為了實現(xiàn)無碳社會,從更節(jié)能、簡化冷卻機構(gòu)、外殼的小型化等角度出發(fā),對功率元器件的效率提升也提出了強烈的要求。另外,車載電子產(chǎn)品還需要符合車載產(chǎn)品可靠性標準。不僅如此,在逆變器和加熱器電路中,還要求功率元器件在發(fā)生短路時能夠切斷電流,并且需要具有更高的短路耐受能力。在這種背景下,ROHM通過改進器件結(jié)構(gòu),并采用合適的封裝形式,開發(fā)出支持高電壓、并實現(xiàn)業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力的第4代IGBT新產(chǎn)品。

第4代1200V IGBT通過改進包括外圍結(jié)構(gòu)在內(nèi)的器件結(jié)構(gòu),不僅實現(xiàn)了高達1200V的耐壓能力和符合車載電子產(chǎn)品標準的可靠性,還實現(xiàn)了10μsec.(Tj=25℃時)的業(yè)界超高短路耐受能力以及業(yè)界超低的開關(guān)損耗和導通損耗特性。另外,新產(chǎn)品采用4引腳TO-247-4L封裝,通過確保引腳間的爬電距離*4,可在污染等級為2級的環(huán)境*5中支持1100V的有效電壓,與以往產(chǎn)品相比,可支持更高電壓的應用。由于爬電距離對策是在器件上實施的,因此也有助于減輕客戶的設(shè)計負擔。此外,TO-247-4L封裝產(chǎn)品通過增加開爾文發(fā)射極引腳*6,還實現(xiàn)了高速開關(guān)和更低損耗。通過對TO-247-4L封裝新產(chǎn)品、普通產(chǎn)品和以往產(chǎn)品在三相逆變器中的實際效率進行比較,證實新產(chǎn)品的損耗比普通產(chǎn)品低約24%,比以往產(chǎn)品低約35%,這將有助于實現(xiàn)應用產(chǎn)品的高效率驅(qū)動。

新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價格 1,500日元/個,不含稅)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.(日本滋賀工廠),后道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)。另外,新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進行銷售,通過Ameya360等電商平臺均可購買。

未來,ROHM將會繼續(xù)擴大更高性能IGBT的產(chǎn)品陣容,從而為汽車和工業(yè)設(shè)備應用的高效率驅(qū)動和小型化貢獻力量。


<產(chǎn)品陣容>

分立產(chǎn)品

裸芯片產(chǎn)品


<應用示例>

◇車載電動壓縮機

◇車載HV加熱器(PTC加熱器、冷卻液加熱器)

◇工業(yè)設(shè)備逆變器

<電商銷售信息>

開始銷售時間:2024年11月起

網(wǎng)售平臺:Ameya360等

新產(chǎn)品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

產(chǎn)品型號:RGA80TRX2HR、RGA80TRX2EHR、

RGA80TSX2HR、RGA80TSX2EHR

<支持信息>

通過ROHM官網(wǎng),可以下載包括通過仿真如實再現(xiàn)產(chǎn)品電氣特性的SPICE模型在內(nèi)的各種電路設(shè)計所需的資料:

https://www.rohm.com.cn/products/igbt/field-stop-trench-igbt#parametricSearch

<關(guān)于采用了RGA系列的賽米控丹佛斯功率半導體模塊>

賽米控丹佛斯額定電流10A~150A的功率半導體模塊“MiniSKiiP®”,采用了ROHM的1200V耐壓IGBT“RGA系列”。如欲了解更多信息,請訪問以下頁面:

https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2023-04-26_news_semikron&defaultGroupId=false

<關(guān)于“EcoIGBT™”品牌>

EcoIGBT™是ROHM開發(fā)的非常適用于功率元器件領(lǐng)域?qū)δ蛪耗芰σ蟾叩膽玫腎GBT,是包括器件和模塊在內(nèi)的品牌名稱。從晶圓生產(chǎn)到制造工藝、封裝和品質(zhì)管理方法,ROHM一直在自主開發(fā)功率元器件產(chǎn)品升級所必需的技術(shù)。另外,ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產(chǎn)體系,已經(jīng)確立了功率元器件領(lǐng)域先進企業(yè)的地位。

・EcoIGBT™是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

<術(shù)語解說>

*1) 汽車電子產(chǎn)品可靠性標準“AEC-Q101”

AEC是Automotive Electronics Council的縮寫,是大型汽車制造商和美國大型電子元器件制造商聯(lián)手制定的汽車電子元器件的可靠性標準。Q101是適用于分立半導體元器件(晶體管、二極管等)的標準。

*2) 短路耐受能力

當負載等短路時,功率元器件能夠承受而不至于損壞的時間。

*3) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)

同時具有MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極晶體管的低導通損耗特性的功率晶體管。

*4) 爬電距離

兩個導體之間沿絕緣表面測得的最短距離。

在半導體設(shè)計中,為了防止觸電、漏電、半導體產(chǎn)品短路,需要采取確保爬電距離和電氣間隙的絕緣對策。

*5) 污染等級2級的環(huán)境

污染等級2級相當于家庭和辦公室等常見的環(huán)境,即僅存在干燥的非導電污染物的狀態(tài)。

污染等級是確定元器件的電氣間隙和爬電距離時會產(chǎn)生影響的環(huán)境等級,根據(jù)污染物質(zhì)的有無、數(shù)量和狀態(tài)分為1~4級。

*6) 開爾文發(fā)射極引腳

測量電壓專用的發(fā)射極引腳。通過使流過電流的發(fā)射極引腳分離,可以將電流流過時電壓壓降的影響降至更低,從而實現(xiàn)高速且穩(wěn)定的開關(guān)。

注)“MiniSKiiP®”是賽米控丹佛斯的商標或注冊商標。            




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