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~助力車載電動壓縮機和工業設備逆變器等效率提升~ 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等應用，開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現了業界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。 此次發售的產品包括4款分立封裝的產品（TO-247-4L和TO-247N各2款）“RGA80TRX2HR／RGA80TRX2EHR／RGA80TSX2HR／RGA80TSX2EHR”和11款裸芯片產品“SG84xxWN”，預計未來將會進一步擴大產品陣容。 近年來，汽車和工業設備朝高電壓化方向發展，這就要求安裝在車載電動壓縮機、HV加熱器和工業設備逆變器等應用中的功率元器件也能支持高電壓。另一方面，為了實現無碳社會，從更節能、簡化冷卻機構、外殼的小型化等角度出發，對功率元器件的效率提升也提出了強烈的要求。另外，車載電子產品還需要符合車載產品可靠性標準。不僅如此，在逆變器和加熱器電路中，還要求功率元器件在發生短路時能夠切斷電流，并且需要具有更高的短路耐受能力。在這種背景下，ROHM通過改進器件結構，并采用合適的封裝形式，開發出支持高電壓、并實現業界超低損耗和超高短路耐受能力的第4代IGBT新產品。 第4代1200V IGBT通過改進包括外圍結構在內的器件結構，不僅實現了高達1200V的耐壓能力和符合車載電子產品標準的可靠性，還實現了10μsec.（Tj＝25℃時）的業界超高短路耐受能力以及業界超低的開關損耗和導通損耗特性。另外，新產品采用4引腳TO-247-4L封裝，通過確保引腳間的爬電距離*4，可在污染等級為2級的環境*5中支持1100V的有效電壓，與以往產品相比，可支持更高電壓的應用。由于爬電距離對策是在器件上實施的，因此也有助于減輕客戶的設計負擔。此外，TO-247-4L封裝產品通過增加開爾文發射極引腳*6，還實現了高速開關和更低損耗。通過對TO-247-4L封裝新產品、普通產品和以往產品在三相逆變器中的實際效率進行比較，證實新產品的損耗比普通產品低約24%，比以往產品低約35%，這將有助于實現應用產品的高效率驅動。 新產品已經暫以月產100萬個的規模投入量產（樣品價格 1,500日元/個，不含稅）。前道工序的生產基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產基地為ROHM Integrated Systems （Thailand） Co., Ltd.（泰國）。另外，新產品已經開始通過電商進行銷售，通過Ameya360等電商平臺均可購買。 未來，ROHM將會繼續擴大更高性能IGBT的產品陣容，從而為汽車和工業設備應用的高效率驅動和小型化貢獻力量。 ＜產品陣容＞ 分立產品 裸芯片產品 ＜應用示例＞ ◇車載電動壓縮機 ◇車載HV加熱器（PTC加熱器、冷卻液加熱器） ◇工業設備逆變器 ＜電商銷售信息＞ 開始銷售時間：2024年11月起 網售平臺：Ameya360等 新產品在其他電商平臺也將逐步發售。 產品型號：RGA80TRX2HR、RGA80TRX2EHR、 RGA80TSX2HR、RGA80TSX2EHR ＜支持信息＞ 通過ROHM官網，可以下載包括通過仿真如實再現產品電氣特性的SPICE模型在內的各種電路設計所需的資料： https://www.rohm.com.cn/products/igbt/field-stop-trench-igbt#parametricSearch ＜關于采用了RGA系列的賽米控丹佛斯功率半導體模塊＞ 賽米控丹佛斯額定電流10A～150A的功率半導體模塊“MiniSKiiP®”，采用了ROHM的1200V耐壓IGBT“RGA系列”。如欲了解更多信息，請訪問以下頁面： https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2023-04-26_news_semikron&defaultGroupId=false ＜關于“EcoIGBT™”品牌＞ EcoIGBT™是ROHM開發的非常適用于功率元器件領域對耐壓能力要求高的應用的IGBT，是包括器件和模塊在內的品牌名稱。從晶圓生產到制造工藝、封裝和品質管理方法，ROHM一直在自主開發功率元器件產品升級所必需的技術。另外，ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產體系，已經確立了功率元器件領域先進企業的地位。 ・EcoIGBT™是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。 ＜術語解說＞ *1) 汽車電子產品可靠性標準“AEC-Q101” AEC是Automotive Electronics Council的縮寫，是大型汽車制造商和美國大型電子元器件制造商聯手制定的汽車電子元器件的可靠性標準。Q101是適用于分立半導體元器件（晶體管、二極管等）的標準。 *2) 短路耐受能力 當負載等短路時，功率元器件能夠承受而不至于損壞的時間。 *3) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管） 同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低導通損耗特性的功率晶體管。 *4) 爬電距離 兩個導體之間沿絕緣表面測得的最短距離。 在半導體設計中，為了防止觸電、漏電、半導體產品短路，需要采取確保爬電距離和電氣間隙的絕緣對策。 *5) 污染等級2級的環境 污染等級2級相當于家庭和辦公室等常見的環境，即僅存在干燥的非導電污染物的狀態。 污染等級是確定元器件的電氣間隙和爬電距離時會產生影響的環境等級，根據污染物質的有無、數量和狀態分為1～4級。 *6) 開爾文發射極引腳 測量電壓專用的發射極引腳。通過使流過電流的發射極引腳分離，可以將電流流過時電壓壓降的影響降至更低，從而實現高速且穩定的開關。 注）“MiniSKiiP®”是賽米控丹佛斯的商標或注冊商標。 |
