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新思科技公布1.6納米背面布線項目,引領萬億晶體管芯片新紀元

發布時間:2024-9-29 15:05    發布者:eechina
全球領先的電子設計自動化EDA)解決方案提供商新思科技(Synopsys)近日正式公布了其1.6納米背面電源布線項目,這一項目將對未來萬億晶體管芯片的設計和生產產生深遠影響。

據了解,新思科技與臺積電正在緊密合作,共同開發支持臺積電A16 1.6納米工藝的背面布線功能。該技術旨在解決萬億晶體管設計面臨的電源分配和信號布線難題,確保芯片在極小的尺寸下仍能保持高效的性能輸出。盡管名稱上仍保留“納米”單位,但臺積電將其命名為A16,即16埃米,這一比納米更小的單位實際上反映了技術難度的大幅提升。

A16 1.6納米工藝采用創新的背側電源軌方案,該方案能夠分離電源線與訊號線的配置,有效緩解晶圓正面的擁塞問題,從而推動邏輯芯片的持續微縮。同時,背側電源軌方案還能顯著增強供電效能,提升系統性能。據估算,相比于當前先進的N2P工藝,A16技術能在相同條件下提供高達8-10%的速度提升,并在相同速度下降低15-20%的功率消耗,最終實現芯片密度的顯著提升。

為了應對日益復雜的物理驗證規則,新思科技還推出了互操作工藝設計工具包(iPDK)和IC Validator物理驗證運行集。這些工具將幫助設計團隊高效地將設計過渡到臺積電N2 2納米技術,為萬億晶體管芯片的成功研發提供有力支持。
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