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FQD50N06場效應管工作原理 FQD50N06是一種N溝道MOSFET，其工作原理基于MOSFET的基本體系。當門極與源極間的電壓超過一定閾值時，FQD50N06會形成導電通道，容許電流從漏極注入源極。這種特性使其在高速開關和精準控制電流層面具有明顯的優勢。同時，FQD50N06的低導電阻確保了高電流運行時的高效化和低熱損耗，對提升設備使用年限、節能降耗至關重要。 MOSFET結構簡述 雙極性結構：具有兩個輸入端和兩個輸出端。 四極性結構：四個輸入端，四個輸出端，每個輸入端有一個集電極和一個發射極。 其他結構：還包括單級多子式結構、三極管等 HG012N06H60V 50A特點 Trench Power SFGMOS技術 低 RDS（ON） 低門電荷 針對快速開關應用進行了優化應用 DC/DC和AC/DC變換器中的同步整流 電信和工業中的隔離DC/DC轉換器 惠海半導體其他MOS管封裝及應用 *常用封裝：DFN3333、SOT89-3、SOT23-3、SOP-8、TO-252、TO-220等 *常用型號：3400、5N10、10N10、17N10、25N10、17N06、30N06、50N06、70N06、20N03、30N03、50N03、70N03等 *應用領域：小家電（加濕器、霧化器、香薰機、美容儀、榨汁機、暖奶器、咖啡機等）、LED照明（舞臺燈、車燈、燈帶調光等）、快速充電器（手機、筆記本、平板、VR等）、移動電源、無線充、3C數碼、安防設備、測量儀器、可穿戴設備、網絡通信、物聯網IoT、新能源、醫療設備、智能家居、電腦主板顯卡、BMS 、POE、GPS、藍牙耳機、藍牙音箱、電弧打火機、電子煙、車載電子、汽車音響、液晶顯示器、太陽能電源、逆變系統、無刷伺服電機等產品。
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