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盛美半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“盛美上海”）近日宣布成功推出Ultra C bev-p面板級邊緣刻蝕設備，標志著公司在扇出型面板級封裝（FOPLP）領域的技術創新邁出了重要一步。 Ultra C bev-p面板級邊緣刻蝕設備是盛美上海針對現代電子應用對集成密度、成本效率和設計靈活性日益增長的需求而研發的。該設備采用先進的濕法刻蝕工藝，專為邊緣刻蝕和銅殘留清除而設計，能夠同時處理面板的正面和背面邊緣，有效避免電氣短路，降低污染風險，并保持后續工藝步驟的完整性。這一創新設計不僅提升了工藝效率，還確保了器件的經久耐用和高質量。 據盛美上海介紹，Ultra C bev-p設備在技術上實現了多項突破。首先，它采用了專為方形面板襯底設計的專利技術，能夠精確處理翹曲面板，確�？涛g工藝僅在邊緣區域進行，從而保持整體工藝的完整性和高性能。其次，該設備兼容多種面板材料，包括有機面板、玻璃面板和粘合面板，適用尺寸從510mm x 515mm至600mm x 600mm不等，厚度在0.5mm至3mm之間，可處理最大10mm的翹曲，確保了廣泛的適用性和靈活性。 在產能和效率方面，Ultra C bev-p設備同樣表現出色。它能夠運行多達六個腔體，每小時可處理40個面板（PPH），邊緣控制精度達到±0.2mm，控制范圍為0-20mm。此外，該設備的平均故障間隔時間（MTBF）長達500小時，正常運行時間高達95%，提供了卓越的可靠性、穩定的性能和高運行效率。 |
