全新LPD碳化硅三相全橋模塊2.5nH超低電感驚艷亮相:該模塊采用創(chuàng)新封裝和三相全橋設(shè)計，內(nèi)置1200V碳化硅MOSFET和熱敏電阻，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達(dá)900V-1000V，工作頻率可達(dá)30kHz，輸出功率可達(dá)300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢，性價比超國外產(chǎn)品，適用于電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅(qū)動、光伏風(fēng)能發(fā)電等領(lǐng)域。
碳化硅MOS管-全碳SiC模塊產(chǎn)品應(yīng)用、驅(qū)動、系統(tǒng)方案詳解2024.pdf
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SiC MOSFET作為第三代功率半導(dǎo)體器件，以其阻斷電壓高、工作頻率高，耐高溫能力強、通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點成為當(dāng)前最具市場前景的半導(dǎo)體產(chǎn)品之一，正廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器、無線電能傳輸?shù)阮I(lǐng)域。 |
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基于雙脈沖實驗的Sic與IGBT特性對比研究 https://mp.weixin.qq.com/s/TA0FoJiKuKr-BhN_-cvlCw  |
