三相集成 GaN 技術如何更大限度地提高電機驅動器的性能

發布時間：2024-8-20 19:06 發布者：eechina

該白皮書探討了德州儀器的 DRV7308 三相 GaN 智能電源模塊 (IPM) 如何持續助力提高電器和 HVAC 系統電機驅動器的功率密度、電力輸送能力和效率，同時節省系統成本并提高可靠性。

本白皮書重點討論了使用基于氮化鎵 (GaN) 的電源開關對電機驅動器效率提升的作用以及注意事項：

Ÿ GaN 如何提高逆變器效率：在開關損耗方面，與 MOSFET 和 IGBT 相比，GaN FET 的損耗要低得多。

Ÿ 使用 GaN 電源開關提高電機性能：由于 GaN 即使在較低的 dv/dt 下也能提供低得多的開關損耗，因此能夠以高得多的頻率進行開關以提高電機效率和性能。

Ÿ 在電機驅動器中使用 GaN 時的設計注意事項：設計人員通常必須考慮 dv/dt 對電機絕緣、軸承壽命、電磁干擾 (EMI) 和可靠性的影響。

下載全文：

【德州儀器白皮書20240820】三相集成 GaN 技術如何更大限度地提高電機驅動器的性能.pdf (1.47 MB)

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