MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,選擇唯樣商城的MOS管,其次驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
01 IC直接驅(qū)動型
這種電源IC的直接驅(qū)動是最常見、最簡單的驅(qū)動方式。
圖1 IC直接驅(qū)動MOS柵極
使用這種方法,我們應(yīng)該注意幾個參數(shù)及其影響。
首先查看電源IC手冊,了解最大峰值驅(qū)動電流,因為不同的IC芯片具有不同的驅(qū)動能力。
其次,檢查MOSFET的寄生電容,如圖中的C1、C2和C3,如果容值較大,導(dǎo)通MOS管所需的能量也比較大。如果電源IC沒有足夠的峰值驅(qū)動電流,晶體管將以較慢的速度開啟。
如果驅(qū)動能力不足,上升沿可能會出現(xiàn)高頻振蕩,即使減小圖1中的Rg也無法解決問題!而IC驅(qū)動能力、MOSFET寄生電容、MOSFET開關(guān)速度等因素,也會影響驅(qū)動電阻的選擇,所以Rg不能無限減小。
02 推挽輸出電路增強(qiáng)驅(qū)動
該驅(qū)動電路的作用是增加電流供應(yīng)能力,快速完成柵極電容輸入的充電過程。這種拓?fù)湓黾恿碎_通所需的時間,但減少了關(guān)斷時間,開關(guān)管能夠快速開通,避免上升沿的高頻振蕩。
圖2 推挽輸出電路增強(qiáng)驅(qū)動
03 驅(qū)動電路加速MOS管的關(guān)斷
在關(guān)斷的瞬間,驅(qū)動電路可以提供盡可能低阻抗的通路,使MOSFET的柵極和源極之間的電容快速放電,保證開關(guān)管可以快速關(guān)斷。
為了保證柵源極間電容C2的快速放電,在Rg1上并聯(lián)了一個Rg2和一個二極管D1。
其中D1通常采用快恢復(fù)二極管,縮短了關(guān)斷時間并降低了關(guān)斷損耗;Rg2的作用是防止電源IC在關(guān)斷時因電流過大而燒壞。
圖3 加速MOS管關(guān)斷電路
圖騰柱電路也可以加速關(guān)斷,當(dāng)電源IC的驅(qū)動能力足夠時,圖2中的電路可以改進(jìn)為下圖這種形式。
圖4 改善型加速MOS管關(guān)斷電路
用三極管釋放GS電容的電是很常見的,如果Q1的發(fā)射極沒有電阻,PNP晶體管導(dǎo)通時柵極與源極之間的電容會短路,可以在最短的時間內(nèi)實現(xiàn)放電,最大限度地減小關(guān)斷時的交叉損耗。
圖4,因為三極管的存在,柵極和源極之間電容電流不會直接通過電源IC放電,提高了電路可靠性。
04 變壓器驅(qū)動電路加速MOS管的關(guān)斷
為了滿足驅(qū)動高邊MOS管的要求,如圖5所示,通常使用變壓器驅(qū)動器,有時也用于安全隔離。
使用R1的目的是抑制PCB板上的寄生電感與C1形成LC振蕩,其設(shè)計目的是隔離直流,通過交流,同時防止磁芯飽和。
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