|
深圳市明佳達電子,星際金華長期(供應及回收)原裝庫存器件:TPSI2140QDWQRQ1 固態繼電器,MC33926PNBR2 電機驅動器,S70GL02GS11FHI010 存儲器 ,TPS61236PRWLR 轉換器。
【供應】只做原裝,庫存器件,價格方面由于浮動不一,請以當天詢問為準!
【回收】只需原裝庫存器件,須有原廠外包裝標簽,有庫存的朋友,歡迎隨時聯絡我們!
TPSI2140QDWQRQ1:1200V 50mA 隔離式固態繼電器
型號:TPSI2140QDWQRQ1
封裝:SOIC-11
類型:固態繼電器
一、描述:
TPSI2140QDWQRQ1 是一款隔離式固態繼電器,專為高電壓汽車和工業應用而設計。該器件的初級側僅由 9mA 的輸入電流供電,并集成了 一個失效防護 EN 引腳,可防止對 VDD 電源反向供電的任何可能性。
二、產品特征:
集成雪崩額定 MOSFE
1200V 關斷電壓
低初級側電源電流
- 9mA 導通狀態電流
- 3.5 µA 關斷狀態電流
隔離額定值 V ISO 高達 3750V RMS/5300V DC
峰值浪涌 V IOSM 高達 5000V
± 100 V/ns CMTI(典型值)
SOIC-11 引腳 (DWQ) 封裝 ,具有寬引腳,可提高熱性能
MC33926PNBR2:半橋 有刷直流電機驅動器
型號:MC33926PNBR2
封裝:PQFN-32
類型:電機驅動器
一、描述:
MC33926PNBR2 是一款 SMARTMOS 單片半橋功率集成電路,主要設計用于汽車電子油門控制,它能夠控制峰值電流高達 5.0 A 的電感負載。有效值電流能力取決于器件封裝的散熱程度。
二、產品特征:
5.0 V 至 28 V 連續運行(5.0 V 至 40 V 瞬態運行)
150 °C 時最大 RDS(on) 為 225 mΩ(每個 H 橋 MOSFET)
兼容 3.0 V 和 5.0 V TTL/CMOS 邏輯輸入
通過內部恒定關斷時間 PWM 實現過流限制(調節)
輸出短路保護(與 VPWR 或地短路)
與溫度相關的電流限制閾值降低
所有輸入均有內部源/匯,可定義默認(浮動輸入)狀態
睡眠模式,電流消耗 < 50 µA(輸入浮動或設置為默認邏輯狀態時)
S70GL02GS11FHI010:2Gbit 并聯 NOR 閃存存儲器
型號:S70GL02GS11FHI010
封裝:BGA-64
類型:NOR 閃存存儲器
一、描述:
S70GL02GS 是2Gbit 并聯 NOR 閃存存儲器,采用 65 納米 MIRRORBIT™ 工藝技術制造。該器件的快速頁面訪問時間為 25 ns,相應的隨機訪問時間為 110 ns。
二、產品特性:
具有多功能 I/O™ 的 3.0 V CMOS 內核
65 納米 MIRRORBIT™ 工藝技術
多功能 I/O 功能
寬 I/O 電壓 (VIO): 1.65 V 至 VCC
工業溫度范圍(-40°C 至 +85°C)
用于讀取/編程/擦除的單電源(VCC)(2.7 V 至 3.6 V)
TPS61236PRWLR:具有恒流輸出功能的 8A 可調節輸出電壓同步升壓轉換器
型號:TPS61236PRWLR
封裝:VQFN-9
類型:同步升壓轉換器
一、描述:
TPS61236PRWLR 是一款高電流、高效率的同步升壓轉換器,具有恒定輸出電流功能,集成了 14mΩ 電源開關,能夠為 3.3V 至 5V 轉換提供高達 3.5A 的輸出電流,效率高達 97%。該器件支持可編程恒定輸出電流,以控制功率輸出,從而有效節省電源通路元件,降低系統總熱耗。
二、產品特征:
高達 97% 的同步升壓效率
用于 3.3V 至 5V 轉換的高達 3.5A IOUT
10A 14mΩ/14mΩ 內部電源開關
可編程恒定輸出電流
輸出電流監控器
輕負載條件下的 10µA IQ
升壓狀態指示
關機時真正斷開
1MHz 開關頻率
軟啟動、電流限制、過壓和過
過熱保護
2.5 mm × 2.5 mm VQFN 封裝
|
|