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來源：EXPreview 按照臺積電（TSMC）的安排，將在2nm制程節(jié)點將首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，同時制造過程仍依賴于極紫外（EUV）光刻技術(shù)，計劃2025年進入大批量生產(chǎn)階段，客戶在2026年就能收到首批采用N2工藝制造的芯片。 據(jù)Trendforce報道，有報告顯示，臺積電正在積極安裝對于先進工藝至關(guān)重要的EUV光刻機，以應(yīng)付2nm工藝的量產(chǎn)，今年和明年將接收超過60臺EUV光刻機，投入的資金額超過4000億新臺幣（約合123億美元/人民幣894億元）。 隨著ASML不斷擴大產(chǎn)能，預(yù)計2025年EUV光刻機的交付量將增長30%以上，臺積電也會因此受益。去年ASML為了響應(yīng)客戶的需求計劃增產(chǎn)，明年的EUV光刻機交付量會有明顯增長，預(yù)計今年為53臺，明年增至72臺以上。據(jù)了解，ASML在2025年的目標(biāo)產(chǎn)能為90臺EUV光刻機、600臺DUV光刻機、以及20臺High-NA EUV光刻機。 EUV光刻機的供應(yīng)一直很緊張，交貨時間在16至20個月之間，2024年的訂單大部分要到2025年才能交付。傳聞臺積電2024年訂購了30臺EUV光刻機，2025年為35臺。不過由于臺積電可能會對資本支出計劃進行調(diào)整，這些數(shù)字最終會略有變化。此外，臺積電有望在今年某個時候接受到最新的High-NA EUV光刻機。 |
