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來源：愛集微 三星晶圓代工部門近日透露，預計將于2027年推出1.4nm制程工藝、芯片背面供電網(wǎng)絡（BSPDN）和硅光子技術。三星于6月13日在美國圣何塞舉行三星代工論壇，透露了該公司在人工智能（AI）時代的部分路線圖。 三星晶圓代工廠業(yè)務部門主管崔時榮（Siyoung Choi）在主題演講中強調(diào)，高性能和低功耗芯片是實現(xiàn)AI的最重要因素。該公司還推出了一項名為“三星人工智能解決方案”的交鑰匙一站式服務，可以讓客戶利用三星的晶圓代工、存儲芯片和高級封裝服務。三星表示，這將簡化客戶的供應鏈，并使其產(chǎn)品發(fā)布速度提升20%。該公司透露，在過去一年時間內(nèi)，其AI相關訂單猛增80%。 此次論壇期間，三星還分享了將在2027年推出硅光子技術的計劃，這也是三星首次宣布采用硅光子技術。該技術在芯片上利用光纖傳輸數(shù)據(jù)，相比傳統(tǒng)線纜/電路可以大幅提升I/O數(shù)據(jù)傳輸速度。此外，三星也投資了硅光子技術公司Celestial AI。 三星表示，采用BSPDN技術的2nm制程工藝也將于2027年推出。這一時間晚于其競爭對手英特爾將于2024年推出類似技術的計劃。BSPDN技術將供電電路設計在晶圓背面，可以避開信號線，防止相互干擾。該技術可顯著提升芯片功率、性能和面積效率。 三星透露其2nm工藝路線圖：用于移動領域的SF2和SF2P將分別于2025年和2026年推出；面向人工智能和高性能計算（HPC）的2nm工藝將于2026年推出，早于BSPDN工藝。該公司還將在2027年推出用于汽車的2nm工藝。 三星重申，計劃于2027年推出1.4nm工藝，目前正在確保該技術的性能和良率。該公司計劃于2025年采用ASML High NA EUV光刻機，用于1.4nm制程芯片制造。 |
