大聯(lián)大旗下詮鼎推出基于英諾賽科(Innoscience)InnoGaN INN700D140C和INN700DA140C芯片的300W電源適配器方案。![]() ![]() 圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的300W電源適配器方案的展示板圖 隨著移動(dòng)設(shè)備對(duì)于充電速度和充電效率的需求不斷提升,氮化鎵(GaN)技術(shù)在電源適配器領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。與傳統(tǒng)的硅(Si)相比,GaN作為第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的間隙和更高的擊穿電壓,因而能夠在緊湊的空間體積內(nèi)提供更高的功率密度。針對(duì)這一特點(diǎn),大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience InnoGaN INN700D140C和INN700DA140C芯片推出300W電源適配器方案,可為用戶帶來高效、輕便的充電體驗(yàn)。 ![]() 圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的300W電源適配器方案的場(chǎng)景應(yīng)用圖 INN700D140C和INN700DA140C均耐壓為700V的增強(qiáng)型氮化鎵晶體管,其中,INN700D140C采用DFN8*8封裝,INN700DA140C采用DFN5*6封裝,兩款器件均適用于高功率應(yīng)用。它們支持極高的開關(guān)頻率,具有零反向恢復(fù)電荷,可大幅減少切換損耗,從而提高整體能效。同時(shí),器件擁有極低的柵極電荷和輸出電荷,可進(jìn)一步優(yōu)化驅(qū)動(dòng)功率消耗和提升開關(guān)效率。 ![]() 圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的300W電源適配器方案的方塊圖 本方案應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,不僅可以為手機(jī)、平板、筆記本電腦提供快速充電功能,還能夠滿足家庭場(chǎng)景中對(duì)高功率設(shè)備的充電需求,例如電視、電動(dòng)工具、游戲機(jī)、LED燈和投影儀等。借助INN700D140C和INN700DA140C,方案在提高效率的同時(shí)大大減小適配器的體積。與常規(guī)基于Si MOS的設(shè)計(jì)對(duì)比,在相同的300W輸出功率下,本方案可將產(chǎn)品體積縮減30%,功率密度提高8W/in3。 核心技術(shù)優(yōu)勢(shì): 同等規(guī)格下功率密度和效率達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平; 選用一塊雙面板,加工簡(jiǎn)單,為客戶提供低成本設(shè)計(jì)方案; 開拓大功率氮化鎵電源應(yīng)用在適配器市場(chǎng)中的應(yīng)用。 方案規(guī)格: 尺寸:158mm×60.5mm×20mm; 效率:95.72%@230Vac; 功率密度:25.7W/in3。 |