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NMOS管，全稱N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種由柵極電壓來(lái)控制漏極電流的電子器件。它的源極和漏極是N型半導(dǎo)體材料，而柵極通常由多晶硅制成，并在上面覆蓋有一層二氧化硅絕緣層。NMOS管的工作原理是通過(guò)在柵極上施加電壓，改變柵極與溝道之間的電場(chǎng)，從而控制溝道中的電荷密度和電流的大小。在數(shù)字電路中，NMOS管常常被用作開(kāi)關(guān)來(lái)控制電流的通斷。當(dāng)柵極電壓足夠高時(shí)，溝道形成，NMOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)，允許電流從源極流向漏極；而當(dāng)柵極電壓較低時(shí)，溝道關(guān)閉，NMOS管處于截止?fàn)顟B(tài)，阻止電流通過(guò)。NMOS管具有低功耗、高開(kāi)關(guān)速度、高集成度等優(yōu)點(diǎn)。 耐壓30V MOS管系列：主要有HC90N03M、HG004N03L、HC005N03L、HC006N03M、HG3019D HC009N03L、HC008NO3M、HC3022D、HC3039P、HC3039D、HC020N03L、HC013N03M、HC3600M HC3400M、HC3600G、HC3400Y、HC3404Y、HC030N03L、HC3400S。 
耐壓60V MOS管系列：主要有HC7002、HG008N06LS、HG6025P、HG008N06L、HG012N05HS HG5511D、HG6037D、HG012N05H、HG011N06L、HG6037P、HC6013P、HC017N06L、HC015N06L HC037N06L、HC031N06L、HC6024P、HC6019D、HC037N06LS、HC070N06L、HC706、HC070N06LS。
耐壓100V MOS管系列：主要有HG008N10L、HG1015DA、HG010N10L、HG1006DA、HG018N10LS HC1006D、HC025N10L、HC8N10、HG021N10L、HG024N10L、HG1037D、HG1006D、HC1019D HC1017D、HG080N10L、HC070N10L、15N10、HC13N10、HG14N10、HG15N10、HC1040P HC1017P、HC070N10S。
耐壓150V MOS管系列：主要有HC1545W、HC120N15L、HG1541S、HG200N15LS、HG200N15LT HC1519D、HC240N15L、HC15355、HC1549S。
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