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NMOS管，全稱N型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種由柵極電壓來控制漏極電流的電子器件。它的源極和漏極是N型半導體材料，而柵極通常由多晶硅制成，并在上面覆蓋有一層二氧化硅絕緣層。NMOS管的工作原理是通過在柵極上施加電壓，改變柵極與溝道之間的電場，從而控制溝道中的電荷密度和電流的大小。在數字電路中，NMOS管常常被用作開關來控制電流的通斷。當柵極電壓足夠高時，溝道形成，NMOS管處于導通狀態，允許電流從源極流向漏極；而當柵極電壓較低時，溝道關閉，NMOS管處于截止狀態，阻止電流通過。NMOS管具有低功耗、高開關速度、高集成度等優點。 耐壓30V MOS管系列：主要有HC90N03M、HG004N03L、HC005N03L、HC006N03M、HG3019D HC009N03L、HC008NO3M、HC3022D、HC3039P、HC3039D、HC020N03L、HC013N03M、HC3600M HC3400M、HC3600G、HC3400Y、HC3404Y、HC030N03L、HC3400S。 
耐壓60V MOS管系列：主要有HC7002、HG008N06LS、HG6025P、HG008N06L、HG012N05HS HG5511D、HG6037D、HG012N05H、HG011N06L、HG6037P、HC6013P、HC017N06L、HC015N06L HC037N06L、HC031N06L、HC6024P、HC6019D、HC037N06LS、HC070N06L、HC706、HC070N06LS。
耐壓100V MOS管系列：主要有HG008N10L、HG1015DA、HG010N10L、HG1006DA、HG018N10LS HC1006D、HC025N10L、HC8N10、HG021N10L、HG024N10L、HG1037D、HG1006D、HC1019D HC1017D、HG080N10L、HC070N10L、15N10、HC13N10、HG14N10、HG15N10、HC1040P HC1017P、HC070N10S。
耐壓150V MOS管系列：主要有HC1545W、HC120N15L、HG1541S、HG200N15LS、HG200N15LT HC1519D、HC240N15L、HC15355、HC1549S。
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