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內(nèi)置60V/3.5A MOS同步降壓穩(wěn)壓IC芯片的工作原理基于開關(guān)模式的電源轉(zhuǎn)換。這種芯片內(nèi)部集成了MOSFET開關(guān)、控制邏輯、反饋電路和保護機制等。以下是工作原理： 開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換：同步降壓穩(wěn)壓IC芯片使用PWM（脈沖寬度調(diào)制）或PFM（脈沖頻率調(diào)制）方式控制內(nèi)部的MOSFET開關(guān)。當MOSFET開關(guān)導通時（ON狀態(tài)），輸入電壓（如60V）通過該開關(guān)直接對輸出電容進行充電，同時向負載提供電能。此時，電感器中的電流增加。 當MOSFET開關(guān)截止時（OFF狀態(tài)），電感器中的電流不會立即消失，而是通過續(xù)流二極管回流到輸入端或輸出端，從而維持輸出電壓的穩(wěn)定。這個過程中，電感器釋放之前存儲的能量，并對輸出電容進行補充。 電壓反饋和控制：芯片內(nèi)部有一個電壓反饋環(huán)路，它不斷監(jiān)測輸出電壓并與內(nèi)部參考電壓進行比較。如果輸出電壓高于期望值，控制邏輯會減少MOSFET開關(guān)的導通時間（即減少PWM的占空比），從而降低輸出電壓。如果輸出電壓低于期望值，控制邏輯會增加MOSFET開關(guān)的導通時間，從而提高輸出電壓。 輸出調(diào)節(jié)：通過調(diào)整MOSFET開關(guān)的導通和截止時間（PWM占空比），芯片能夠精確控制輸出電壓的平均值，從而實現(xiàn)穩(wěn)定的輸出電壓。輸出電壓可以是多個固定值（如3.3V、5V、12V等），也可以通過外部電阻或數(shù)字接口進行編程設置。 保護和特性：芯片通常具有過流保護（OCP）、過溫保護（OTP）、欠壓保護（UVLO）等功能，以確保系統(tǒng)安全。一些高級芯片還支持軟啟動、跟蹤功能、動態(tài)電壓調(diào)整等特性，以提高電源系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。 H6225M 內(nèi)置60V/3.5AMOS 同步降壓穩(wěn)壓ic芯片 降3.3V5V12V24V30V36V48V 產(chǎn)品描述 H6225M是一種內(nèi)置60V耐壓MOS，支持輸入高達48V的高壓降壓開關(guān)控制器，可以向負載提供3.5A的連續(xù)電流H6225M支持輸出恒定電壓，可以通過調(diào)節(jié)VFB采樣電阻來設置輸出電壓，同時支持最大電流限制，可以通過修改CS采樣電阻來設置輸出電流最大值。典型開關(guān)頻率為130KHz，設計有最小開關(guān)頻率5KHz，可以確保良好的輸出動態(tài)響應。在輕型負載下，H6225M將進入PWM+PFM模式，以獲得較高的轉(zhuǎn)換效率。H6225M集成軟啟動，可大幅度減弱輸入打火時產(chǎn)生浪涌對芯片的損壞，同時集成熱保護、輸出短路保護、輸出電流限制，提供可靠的容錯操作。H6225M集成了輸入線路電壓補償和高帶寬環(huán)路，以滿足±5%的輸出電壓精度。H6225M支持低輸出電壓應用，最低可帶到3.3V。H6225M采用SOT89-5封裝。 產(chǎn)品特征 l 內(nèi)置60V高壓MOS l 寬壓8V-48V輸入范圍 l 支持輸出電壓最低可調(diào)至3.3V l 支持最大3.5A的負載電流 l 轉(zhuǎn)換效率最高可達95% l 輸出線損電壓補償 l 輸出電壓精度±5% l 帶軟啟動功能(SS) l 帶過流保護功能(OCP) l 帶過熱保護功能(OTP) l 帶輸出短路保護功能(SCP) 典型應用 l 模塊供電 l 小家電電源 l 小功率恒壓源 l 車載儀器儀表 應用電路原理圖 
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