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我國研制出世界首個氮化鎵量子光源芯片

發布時間:2024-4-19 09:14    發布者:eechina
關鍵詞: 氮化鎵 , 量子光源
來源:大半導體產業網

據天府絳溪實驗室官微消息,近日,電子科技大學信息與量子實驗室、天府絳溪實驗室量子互聯網前沿研究中心與清華大學、中國科學院上海微系統與信息技術研究所合作,在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片,這是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯網研究平臺取得的又一項重要進展,也是天府絳溪實驗室在關鍵核心技術領域取得的又一創新成果。

據悉,研究團隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝,攻克高質量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側壁與表面散射損耗等技術難題,在國際上首次將氮化鎵材料運用于量子光源芯片。目前,量子光源芯片多使用氮化硅等材料進行研制,與之相比,氮化鎵量子光源芯片在輸出波長范圍等關鍵指標上取得突破,輸出波長范圍從25.6納米增加到100納米,并可朝著單片集成發展。

此項研究工作得到國家科技創新2030重大項目、國家自然科學基金、四川省科技計劃等大力支持。近日,以“Quantum Light Generation Based on GaN Microring toward Fully On-Chip Source”為題,發表在國際著名學術期刊《物理評論快報》上,并被選為“物理亮點”進行重點宣傳報道。

據了解,天府絳溪實驗室量子互聯網前沿研究中心聚力攻關量子互聯網領域關鍵核心技術。當前,中心正在加快布局城域量子互聯網、量子人工智能、量子信息器件等產業方向,大力推動量子賦能新質生產力在政務、金融、醫療、健康等領域的應用落地,堅定厚植量子科技的前沿研究和創新應用。
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