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東方晶源CD-SEM榮獲第七屆“IC創(chuàng)新獎”成果產(chǎn)業(yè)化獎

發(fā)布時(shí)間:2024-4-7 13:27    發(fā)布者:焦點(diǎn)訊

日前,“2024集成電路產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展交流會暨中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟大會”在北京舉行,會上頒發(fā)了“第七屆集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新獎”(簡稱IC創(chuàng)新獎)。經(jīng)過申報(bào)、受理、評選等環(huán)節(jié),東方晶源自主研發(fā)的關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備CD-SEM成功斬獲第七屆IC創(chuàng)新獎——成果產(chǎn)業(yè)化獎。

CD-SEM用于集成電路硅片圖形關(guān)鍵尺寸量測,是良率控制核心設(shè)備。該類設(shè)備被日本和美國公司壟斷,國內(nèi)空白,屬于“卡脖子”產(chǎn)品。東方晶源自2021年先后推出12英寸CD-SEM和6&8英寸兼容CD-SEM設(shè)備,成功突破多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),如高速高精度硅片傳輸定位、圖像像差補(bǔ)償?shù)龋瑒?chuàng)新性地提出了復(fù)合高精度定位技術(shù)、電磁復(fù)合偏轉(zhuǎn)器及多級視場像差校正方法,從而大幅提升了設(shè)備性能與良率優(yōu)化能力。

東方晶源CD-SEM產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于多個制程領(lǐng)域,包括12英寸≥28nm邏輯制程、3D-NAND制程、DRAM制程,以及8英寸Si、MEMS制程和6英寸第三代半導(dǎo)體SiC、GaN、GaAs等化合物制程,成功獲得國內(nèi)多家晶圓制造頭部企業(yè)認(rèn)可,具有極高的性能表現(xiàn)和可靠性,市場認(rèn)可度高。

“IC創(chuàng)新獎”重點(diǎn)鼓勵集成電路技術(shù)創(chuàng)新、成果產(chǎn)業(yè)化、產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作,是集成電路產(chǎn)業(yè)最重要的技術(shù)獎項(xiàng)之一。其中“成果產(chǎn)業(yè)化獎項(xiàng)”皆在表彰集成電路創(chuàng)新成果產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)和市場拓展方面取得突出業(yè)績的單位和團(tuán)隊(duì),東方晶源CD-SEM獲此獎項(xiàng)實(shí)至名歸。值得一提的是,東方晶源電子束缺陷檢測設(shè)備EBI產(chǎn)品曾獲得第五屆IC創(chuàng)新獎——技術(shù)創(chuàng)新獎。

檢測、量測設(shè)備是集成電路制造過程中進(jìn)行良率控制的關(guān)鍵設(shè)備,作為立足良率管理的企業(yè),東方晶源自成立以來便聚焦電子束檢測、量測領(lǐng)域,經(jīng)過十年的發(fā)展,突破多項(xiàng)關(guān)鍵核心技術(shù)、產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程突飛猛進(jìn)、積極布局電子束缺陷復(fù)檢設(shè)備DR-SEM,為我國芯片安全做出了重要的貢獻(xiàn)。未來,東方晶源將繼續(xù)在電子束檢測、量測領(lǐng)域深耕,不斷進(jìn)行技術(shù)突破與產(chǎn)品創(chuàng)新。同時(shí),將充分發(fā)揮公司在計(jì)算光刻OPC等軟件方面的優(yōu)勢,將軟硬件進(jìn)行協(xié)同,為國內(nèi)集成電路制造良率管理探索全新路徑。

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