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來源：半導體產業縱橫 據MoneyDJ報道，韓國存儲器巨頭 SK 海力士正在探索與日本 NAND 閃存制造商鎧俠合作，生產用于人工智能應用的高帶寬存儲器 (HBM) 。預計生產將在鎧俠與西部數據合資的日本工廠進行。另一方面，鎧俠 將根據半導體市場狀況及其與西部數據的關系評估擬議的合作。 該報告強調，HBM（一種主要用于人工智能服務器的 DRAM）在英偉達的帶動下，在全球范圍內的需求正在激增。此外，根據集邦咨詢此前發布的新聞稿，2023年HBM三大原廠市占率分別為：SK海力士在46-49%、三星均在46-49%左右，美光則在4-6%左右。 
對于SK海力士來說，利用鎧俠在日本巖手縣北上市和三重縣四日市的現有工廠生產HBM將能夠快速建立擴大的生產系統。 與此同時，鎧俠和西部數據的日本合資工廠目前只生產NAND Flash。如果他們未來能生產出最先進的DRAM，也將為日本半導體產業振興計劃做出貢獻。 該報告進一步指出，SK 海力士通過美國投資公司貝恩資本間接投資了鎧俠約 15% 的股份。據報道，貝恩資本正在與 SK 海力士進行幕后談判，尋求重啟鎧俠/西部數據 合并。然而，根據時事出版社報道中引用的消息來源，“這次合作和合并是兩個單獨的討論事項。” 據朝日新聞此前報道，鎧俠和西部數據預計將在4月底重啟合并談判。盡管去年秋天雙方的合并談判遇到了障礙，但雙方都面臨著擴大規模的生存壓力。不過，雙方最終能否達成合并協議仍存在不確定性。
根據TrendForce 2023年第三季度的數據，三星繼續保持全球第一大NAND閃存制造商的地位，占據31.4%的市場份額。緊隨其后的是SK集團，以20.2%的市場份額位居第二。西部數據以16.9%的市場份額占據第三位，而日本的鎧俠則占據14.5%的市場份額。 HBM的概念的起飛與AIGC的火爆有直接關系。 AI大模型的興起催生了海量算力需求，而數據處理量和傳輸速率大幅提升使得AI服務器對芯片內存容量和傳輸帶寬提出更高要求。HBM具備高帶寬、高容量、低延時和低功耗優勢，目前已逐步成為AI服務器中GPU的搭載標配。 目前，HBM產品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發，最新的HBM3E是HBM3的擴展版本。 SK海力士無疑是這波內存熱潮中的最大受益者。SK海力士在2023年度財報當中就曾表示，2023年在DRAM方面，公司以引領市場的技術實力積極應對了客戶需求，公司主力產品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別成長4倍和5倍以上。 近日，SK海力士副總裁Kim Ki-tae（金基泰）在一篇博文中表示，雖然2024年才剛開始，但今年SK海力士旗下的HBM已經全部售罄。同時，公司為了保持市場領先地位，已開始為2025年預作準備。 金基泰解釋稱，雖然外部的不穩定因素仍在，但今年內存市場有望逐漸加溫。其中原因包括，全球大型科技客戶的產品需求恢復。此外，PC、智能手機等設備對于的AI應用，不僅會提升HBM3E銷量，DDR5、LPDDR5T等產品需求也有望增加。 值得一提的是，在去年12月底財報會議上上，美光CEO Sanjay Mehrotra對外透露，得益于生成式AI的火爆，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。其中，2024年初量產的HBM3E有望于2024會計年度創造數億美元的營收。 金基泰強調，HBM的銷售競爭力也是基于“技術”。這是因為，為了及時應對AI內存需求快速增長的市場形勢，首先確保客戶所需的規格最為重要。其次，察覺市場變化并提前做好準備也很有效。 如此來看，高階HBM的競爭才剛剛開始，雖然目前HBM產品占整體存儲的出貨量仍然非常小，長期來看，隨著消費電子產品向AI化發展，對于高算力、高存儲、低能耗將是主要訴求方向，鑒于此預計HBM也將成為未來存儲廠商的技術發展方向。 |
