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來源：全球半導(dǎo)體觀察 近日存儲五大原廠（三星、SK海力士、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)）紛紛發(fā)布了最新一季財報，各大廠商營收虧損幅度均有所收窄，其中內(nèi)存市場回溫明顯，部分較早布局DDR5 DRAM、LPDDR5X、HBM3/3E等存儲新技術(shù)的企業(yè)順利吃到行業(yè)紅利，實現(xiàn)扭虧為盈，閃存市場則逐漸觸底。 從價格行情看，據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞近日報道，因中國客戶接受存儲芯片廠商的漲價要求，2024年1月指標(biāo)性產(chǎn)品DDR4 8Gb以及4Gb產(chǎn)品批發(fā)價揚(yáng)升。結(jié)合行業(yè)消息顯示，存儲芯片三大原廠控制供給，拉抬報價態(tài)度堅定。在DRAM部分，側(cè)重HBM和DDR5投資；NAND部分，則是力求不虧損銷售。 五大原廠財報出現(xiàn)好的信號 綜合來看，消費(fèi)電子已出現(xiàn)復(fù)蘇信號，行業(yè)新的轉(zhuǎn)機(jī)正在孕育生成，AI催生存力新需求，五大原廠加速布局，2024年存儲市場有望迎來新的轉(zhuǎn)機(jī)。 三星電子：虧損幅度已有所減緩，消費(fèi)電子已出現(xiàn)復(fù)蘇信號 三星電子公布了2023年第四季度（截至2023年12月31日）財報，該季營收67.78萬億韓元，環(huán)比增長0.6%，同比下降3.8%。其中，存儲業(yè)務(wù)營收15.71萬億韓元，環(huán)比增長49%，同比增長29%。 2023年三星電子合并營收258.94萬億韓元，同比減少14.32%；營利6.57萬億韓元，同比減少84.85%，為十二年來最低點。資本支出方面，四季度同比減少25.53%降至14.0萬億韓元。三星電子計劃到今年上半年為止，將NAND產(chǎn)量削減規(guī)模擴(kuò)大40%-50%。 值得關(guān)注的是，從2023年四季度營收利潤來看，其虧損幅度已有所減緩，消費(fèi)電子已出現(xiàn)復(fù)蘇信號。三星表示，隨著PC和移動設(shè)備單機(jī)存儲容量增加，以及IT行業(yè)對生成式人工智能的投資不斷擴(kuò)大，服務(wù)器需求出現(xiàn)了復(fù)蘇的跡象，三星電子存儲業(yè)務(wù)整體市場較上一季度出現(xiàn)復(fù)蘇。 三星預(yù)計未來需求將集中在先進(jìn)節(jié)點，存儲業(yè)務(wù)計劃將重點放在基于尖端節(jié)點競爭力的盈利能力上。今年一季度，三星將繼續(xù)專注包含HBM3和服務(wù)器SSD等高附加值產(chǎn)品在內(nèi)的銷售，推動盈利能力不斷改善。 2024年全年，盡管市場仍存在不確定性，但三星認(rèn)為存儲業(yè)務(wù)將會繼續(xù)復(fù)蘇。終端市場由于AI普及，PC和移動設(shè)備單機(jī)存儲容量將增加。AI也將助力服務(wù)器增長，隨著服務(wù)器處理器向新平臺過渡，服務(wù)器需求也將逐漸復(fù)蘇。 SK海力士：四季度扭虧為盈，存儲新品營收亮眼 SK海力士2023財年第四季度結(jié)合并收入為11.3055萬億韓元，營業(yè)利潤為0.3460萬億韓元，成功實現(xiàn)扭虧為盈。2023全年實現(xiàn)營收32.766萬億韓元，經(jīng)營虧損7.73萬億韓元，經(jīng)營利潤率-24%。此外，2023年公司資本開支同比減少50%降至9.5萬億韓元，并預(yù)計2024年資本開支同比小幅增長。此前SK海力士表示，NAND的減產(chǎn)措施至少持續(xù)至2024年6月。 營收主要增長點上，SK海力士表示，去年在DRAM方面，公司以牽引市場的技術(shù)實力積極應(yīng)對了客戶需求，結(jié)果公司主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的收入同比分別增長4倍和5倍以上。另外，對于市況復(fù)蘇相對緩慢的NAND閃存，主要集中于投資和費(fèi)用的效率化。 順應(yīng)高性能DRAM需求的增長趨勢，SK海力士將順利進(jìn)行用于AI的存儲器HBM3E的量產(chǎn)和HBM4的研發(fā)，同時將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產(chǎn)品及時供應(yīng)于服務(wù)器和移動端市場。而且，公司為了應(yīng)對持續(xù)增長的AI服務(wù)器需求和端側(cè)AI的應(yīng)用普及，將為準(zhǔn)備高容量服務(wù)器模組MCRDIMM和移動端模組LPCAMM2竭盡全力，由此持續(xù)保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。 NAND閃存方面，公司決定通過以eSSD等高端產(chǎn)品為主擴(kuò)大銷售，改善盈利并加強(qiáng)內(nèi)部管理。 美光：做好準(zhǔn)備緊抓AI機(jī)遇，HBM業(yè)績大漲 美光公布了截至2023年11月30日的2024財年第一財季財報，該季美光營收47.3億美元，同比增長15.6%，環(huán)比上升17.86%。第一財季營業(yè)虧損9.55億美元，較去年同期收窄20.9%。 展望未來，美光表示已做好充分準(zhǔn)備，抓住人工智能為終端市場帶來的巨大機(jī)遇，預(yù)計第二財季營收為53億美元，上下浮動2億美元，相當(dāng)于指引范圍為51億到55億美元，同比增長38.2%到49.1%。業(yè)務(wù)基本面將在2024年得到改善，行業(yè)TAM（Total Addressable Market，總潛在市場）預(yù)計將在2025年實現(xiàn)突破。 美光預(yù)計2024財年資本支出在75億美元至80億美元之間，均高于去年資本支出和此前規(guī)劃，主要是為了支持HBM3E的產(chǎn)量增長。其中，美光認(rèn)為2024財年WFE（wafer fab equipment，前端晶圓設(shè)備）資本開支將同比下降。美光在馬來西亞和臺灣建設(shè)先進(jìn)組裝和測試設(shè)施，另外投資計劃已獲中國批準(zhǔn)，正在繼續(xù)此前宣布的西安封測廠擴(kuò)建計劃。 美光業(yè)績高度受益于本輪AI浪潮，美光CEO Sanjay Mehrotra對外透露，得益于生成式AI的火爆，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計已全部售罄。同時，2024年P(guān)C銷售量有望成長1~5%，結(jié)束連續(xù)兩年跌勢; 智能手機(jī)需求也有望出現(xiàn)復(fù)蘇跡象、2024年將稍微成長（grow modestly）。 鎧俠：預(yù)計智能手機(jī)和PC領(lǐng)域需求將持續(xù)復(fù)蘇 鎧俠公布的截至2023年12月31日的2023財年三季度財報顯示，鎧俠單季度營收2620億日元（約合17.4億美元），環(huán)比增長20.6%；營業(yè)損失650億日元（約合4.3億美元），虧損環(huán)比改善35.8%；凈虧損649億日元（約合4.3億美元），環(huán)比增長21.1%。 
圖片來源：鎧俠 技術(shù)方面，鎧俠在車用存儲市場率先引入UFS4.0嵌入式存儲設(shè)備，并發(fā)布了2TB microSDXC存儲卡。 另外，鎧俠表示，其與西部數(shù)據(jù)位于四日市和北上的合資工廠已獲批獲得日本政府提供高達(dá)1500億日元的補(bǔ)貼。 對于后市展望，由于終端客戶庫存不斷改善以及存儲原廠持續(xù)控制產(chǎn)能釋出，鎧俠預(yù)計，存儲市場的供需情況以及產(chǎn)品售價不斷改善。在PC和智能手機(jī)需求方面，隨著終端客戶庫存改善、AI嵌入PC和智能手機(jī)、單位存儲容量增長以及軟件更新帶來的換機(jī)需求，預(yù)計智能手機(jī)和PC領(lǐng)域需求將持續(xù)復(fù)蘇。服務(wù)器和企業(yè)級SSD需求方面，已有信號表明客戶庫存水位正恢復(fù)正常化加上企業(yè)IT支出復(fù)蘇，預(yù)計2024下半年需求將開始復(fù)蘇。 西數(shù)：持續(xù)推進(jìn)閃存業(yè)務(wù)改善，重啟與鎧俠合并談判 近日，西部數(shù)據(jù)公布了2024第二財季（截至2023年12月29日）業(yè)績，該季營收30.32億美元，環(huán)比增長10%，同比下降2%；凈虧損2.10億美元，凈利潤率-6.9%。主要原因是受到閃存和HDD業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)性調(diào)整的影響。值得注意的是，該季西部數(shù)據(jù)NAND毛利率轉(zhuǎn)正至7.9%。 按業(yè)務(wù)劃分，西部數(shù)據(jù)云業(yè)務(wù)營收為10.71億美元，同比下降13%;客戶業(yè)務(wù)營收為11.22億美元，同比增長3%;消費(fèi)者業(yè)務(wù)營收為8.39億美元，同比增長6%；按照產(chǎn)品劃分，NAND Flash部門的營收由2022年同期的16.6億美元增加到16.7億美元，硬盤部門營收13.7億美元。 西部數(shù)據(jù)執(zhí)行長David Goeckeler表示，將以積極管理庫存的策略，加上提供范圍更廣的產(chǎn)品，做好成本調(diào)控，注重研發(fā)等作為，有信心西部數(shù)據(jù)的獲利能夠改善。 此前西部數(shù)據(jù)表示，將在2024年下半年之前剝離其閃存業(yè)務(wù)。在與日本Kioxia（鎧俠）合并該業(yè)務(wù)的談判陷入停滯后，閃存業(yè)務(wù)一直在努力應(yīng)對供應(yīng)過剩的問題。目前，鎧俠和西部數(shù)據(jù)正積極重啟合并談判。據(jù)外媒消息，日本產(chǎn)業(yè)省周二表示，將向鎧俠和西部數(shù)據(jù)提供2429億日元（約合16.4億美元）補(bǔ)貼，幫助它們在三重縣和巖手縣擴(kuò)大存儲芯片生產(chǎn)。日本工業(yè)大臣齋藤健表示，支持日本芯片制造商鎧俠與西部數(shù)據(jù)合并。并預(yù)計未來內(nèi)存市場將大幅增長，包括用于生成式人工智能的內(nèi)存。 看好AI動能，原廠積極布局HBM 目前，以手機(jī)、PC為代表的消費(fèi)電子市場需求回溫還不足以支撐存儲巨頭業(yè)績快速增長，但大廠不約而同增加2024年的資本支出，主要動因還在于AI帶來的市場增量。目前，主流AI訓(xùn)練芯片為了提升帶寬更好地發(fā)揮算力，都采用了HBM與算力芯片進(jìn)行合封。AI服務(wù)器端成長性明顯，從ChatGPT到今年OpenAI最新推出的文生視頻模型Sora，以及各廠自建的AI大模型，都需要用到AI 服務(wù)器。 據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，2024年DRAM及NAND Flash在各類AI延伸應(yīng)用，如智能手機(jī)、服務(wù)器、筆電的單機(jī)平均搭載容量均有成長，又以服務(wù)器領(lǐng)域成長幅度最高，Server DRAM單機(jī)平均容量預(yù)估年增17.3%；Enterprise SSD則預(yù)估年增13.2%。
服務(wù)器方面，伴隨AI服務(wù)器需求持續(xù)增加，AI高端芯片如NVIDIA H200/B100、AMD MI350及云端服務(wù)業(yè)者（CSP）自研ASIC陸續(xù)推出或開始量產(chǎn)。但由于Training AI Server是目前市場主流，其擴(kuò)大采用的存儲器是以有助于高速運(yùn)算的DRAM產(chǎn)品為主，故相較于NAND Flash，DRAM的單機(jī)平均搭載容量成長幅度更高，Server DRAM預(yù)估年增率17.3%，Enterprise SSD則約13.2%。 目前頭部三星、SK海力士、美光三大巨頭在HBM上的擴(kuò)產(chǎn)也是史無前例。 三星：2024年HBM產(chǎn)量將比去年提高2.5倍，2025年再提高2倍 三星電子從2023年四季度開始擴(kuò)大HBM3的供應(yīng)。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示，已經(jīng)向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產(chǎn)。到下半年，其占比預(yù)計將達(dá)到90%左右。”負(fù)責(zé)三星美國半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的執(zhí)行副總裁Han Jin-man則在今年CES 2024上表示，三星今年的HBM芯片產(chǎn)量將比去年提高2.5倍，明年還將繼續(xù)提高2倍。 三星官方還透露，公司計劃在今年第四季度之前，將 HBM 的最高產(chǎn)量提高到每月15萬至17萬件，以此來爭奪2024年的HBM市場。此前三星電子斥資105億韓元收購了三星顯示位于韓國天安市的工廠和設(shè)備，以擴(kuò)大HBM產(chǎn)能，同時還計劃投資7000億至1萬億韓元新建封裝線。 SK海力士：3月量產(chǎn)全球首款第五代高帶寬存儲器HBM3E 2月20日，據(jù)韓媒最新消息，SK海力士將于今年3月開始量產(chǎn)全球首款第五代高帶寬存儲器HBM3E，計劃在下個月內(nèi)向英偉達(dá)供應(yīng)首批產(chǎn)品。 SK海力士則表示，“我們無法確認(rèn)與客戶相關(guān)的任何信息。” SK海力士在財報中表示，計劃在2024年增加資本支出，并將生產(chǎn)重心放在HBM等高端存儲產(chǎn)品上，HBM的產(chǎn)能對比去年將增加一倍以上，此前海力士曾預(yù)計，到2030年其HBM出貨量將達(dá)到每年1億顆，并決定在2024年預(yù)留約10萬億韓元（約合76億美元）的設(shè)施資本支出——相較2023年6萬億-7萬億韓元的預(yù)計設(shè)施投資，增幅高達(dá)43%-67%。 擴(kuò)產(chǎn)的重點是新建和擴(kuò)建工廠，去年6月有韓媒報道稱，SK海力士正在準(zhǔn)備投資后段工藝設(shè)備，將擴(kuò)建封裝HBM3的利川工廠，預(yù)計到今年年末，該廠后段工藝設(shè)備規(guī)模將增加近一倍。 此外，SK海力士還將在美國印第安納州建造一座最先進(jìn)的制造工廠，據(jù)英國《金融時報》消息，這家韓國芯片制造商將在這家工廠生產(chǎn)HBM堆棧，這些堆棧將用于臺積電生產(chǎn)的Nvidia GPU，SK集團(tuán)董事長表示，該工廠預(yù)計耗資220億美元。 美光：繼續(xù)趕追，押寶HBM4 美光在全球HBM市場份額占比較低，為了縮小差距，美光對其下一代產(chǎn)品HBM3E下了很大的賭注，美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示：“我們正處于為Nvidia下一代AI加速器提供HBM3E的驗證的最后階段。”其計劃于2024年初開始大批量發(fā)貨HBM3E內(nèi)存，同時強(qiáng)調(diào)其新產(chǎn)品受到了整個行業(yè)的極大興趣，這暗示NVIDIA可能不是唯一最終使用美光HBM3E的客戶。 在這場沒有占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢的比拼中，美光似乎押寶在下一代HBM4這一尚未確定的標(biāo)準(zhǔn)上。官方消息顯示，美光披露了暫名為HBM next的下一代HBM內(nèi)存，其預(yù)計HBM Next將提供36GB和64GB容量，能提供多種配置。與三星和SK海力士不同，美光并不打算把HBM和邏輯芯片整合到一個芯片中，在下一代HBM發(fā)展上，韓系和美系內(nèi)存廠商涇渭分明，美光可能會告訴AMD、英特爾和英偉達(dá)，大家可以通過HBM-GPU這樣的組合芯片獲得更快的內(nèi)存訪問速度，但是單獨(dú)依賴某一家的芯片就意味著更大風(fēng)險。 據(jù)TrendForce集邦咨詢了解，HBM4預(yù)計規(guī)劃于2026年推出，目前包含NVIDIA以及其他CSP（云端業(yè)者）在未來的產(chǎn)品應(yīng)用上，規(guī)格和效能將更優(yōu)化。受到規(guī)格更往高速發(fā)展帶動，將首次看到HBM最底層的Logic die（又名Base die）采用12nm制程wafer，該部分將由晶圓代工廠提供，使得單顆HBM產(chǎn)品需要結(jié)合晶圓代工廠與存儲器廠的合作。 再者，隨著客戶對運(yùn)算效能要求的提升，HBM4在堆棧的層數(shù)上，除了現(xiàn)有的12hi (12層)外，也將再往16hi (16層)發(fā)展，更高層數(shù)也預(yù)估帶動新堆棧方式hybrid bonding的需求。HBM4 12hi產(chǎn)品將于2026年推出；而16hi產(chǎn)品則預(yù)計于2027年問世。 |
