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來源：全球半導體觀察 近日存儲五大原廠（三星、SK海力士、美光、鎧俠、西部數據）紛紛發布了最新一季財報，各大廠商營收虧損幅度均有所收窄，其中內存市場回溫明顯，部分較早布局DDR5 DRAM、LPDDR5X、HBM3/3E等存儲新技術的企業順利吃到行業紅利，實現扭虧為盈，閃存市場則逐漸觸底。 從價格行情看，據日本經濟新聞近日報道，因中國客戶接受存儲芯片廠商的漲價要求，2024年1月指標性產品DDR4 8Gb以及4Gb產品批發價揚升。結合行業消息顯示，存儲芯片三大原廠控制供給，拉抬報價態度堅定。在DRAM部分，側重HBM和DDR5投資；NAND部分，則是力求不虧損銷售。 五大原廠財報出現好的信號 綜合來看，消費電子已出現復蘇信號，行業新的轉機正在孕育生成，AI催生存力新需求，五大原廠加速布局，2024年存儲市場有望迎來新的轉機。 三星電子：虧損幅度已有所減緩，消費電子已出現復蘇信號 三星電子公布了2023年第四季度（截至2023年12月31日）財報，該季營收67.78萬億韓元，環比增長0.6%，同比下降3.8%。其中，存儲業務營收15.71萬億韓元，環比增長49%，同比增長29%。 2023年三星電子合并營收258.94萬億韓元，同比減少14.32%；營利6.57萬億韓元，同比減少84.85%，為十二年來最低點。資本支出方面，四季度同比減少25.53%降至14.0萬億韓元。三星電子計劃到今年上半年為止，將NAND產量削減規模擴大40%-50%。 值得關注的是，從2023年四季度營收利潤來看，其虧損幅度已有所減緩，消費電子已出現復蘇信號。三星表示，隨著PC和移動設備單機存儲容量增加，以及IT行業對生成式人工智能的投資不斷擴大，服務器需求出現了復蘇的跡象，三星電子存儲業務整體市場較上一季度出現復蘇。 三星預計未來需求將集中在先進節點，存儲業務計劃將重點放在基于尖端節點競爭力的盈利能力上。今年一季度，三星將繼續專注包含HBM3和服務器SSD等高附加值產品在內的銷售，推動盈利能力不斷改善。 2024年全年，盡管市場仍存在不確定性，但三星認為存儲業務將會繼續復蘇。終端市場由于AI普及，PC和移動設備單機存儲容量將增加。AI也將助力服務器增長，隨著服務器處理器向新平臺過渡，服務器需求也將逐漸復蘇。 SK海力士：四季度扭虧為盈，存儲新品營收亮眼 SK海力士2023財年第四季度結合并收入為11.3055萬億韓元，營業利潤為0.3460萬億韓元，成功實現扭虧為盈。2023全年實現營收32.766萬億韓元，經營虧損7.73萬億韓元，經營利潤率-24%。此外，2023年公司資本開支同比減少50%降至9.5萬億韓元，并預計2024年資本開支同比小幅增長。此前SK海力士表示，NAND的減產措施至少持續至2024年6月。 營收主要增長點上，SK海力士表示，去年在DRAM方面，公司以牽引市場的技術實力積極應對了客戶需求，結果公司主力產品DDR5 DRAM和HBM3的收入同比分別增長4倍和5倍以上。另外，對于市況復蘇相對緩慢的NAND閃存，主要集中于投資和費用的效率化。 順應高性能DRAM需求的增長趨勢，SK海力士將順利進行用于AI的存儲器HBM3E的量產和HBM4的研發，同時將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產品及時供應于服務器和移動端市場。而且，公司為了應對持續增長的AI服務器需求和端側AI的應用普及，將為準備高容量服務器模組MCRDIMM和移動端模組LPCAMM2竭盡全力，由此持續保持技術領先優勢。 NAND閃存方面，公司決定通過以eSSD等高端產品為主擴大銷售，改善盈利并加強內部管理。 美光：做好準備緊抓AI機遇，HBM業績大漲 美光公布了截至2023年11月30日的2024財年第一財季財報，該季美光營收47.3億美元，同比增長15.6%，環比上升17.86%。第一財季營業虧損9.55億美元，較去年同期收窄20.9%。 展望未來，美光表示已做好充分準備，抓住人工智能為終端市場帶來的巨大機遇，預計第二財季營收為53億美元，上下浮動2億美元，相當于指引范圍為51億到55億美元，同比增長38.2%到49.1%。業務基本面將在2024年得到改善，行業TAM（Total Addressable Market，總潛在市場）預計將在2025年實現突破。 美光預計2024財年資本支出在75億美元至80億美元之間，均高于去年資本支出和此前規劃，主要是為了支持HBM3E的產量增長。其中，美光認為2024財年WFE（wafer fab equipment，前端晶圓設備）資本開支將同比下降。美光在馬來西亞和臺灣建設先進組裝和測試設施，另外投資計劃已獲中國批準，正在繼續此前宣布的西安封測廠擴建計劃。 美光業績高度受益于本輪AI浪潮，美光CEO Sanjay Mehrotra對外透露，得益于生成式AI的火爆，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。同時，2024年PC銷售量有望成長1~5%，結束連續兩年跌勢; 智能手機需求也有望出現復蘇跡象、2024年將稍微成長（grow modestly）。 鎧俠：預計智能手機和PC領域需求將持續復蘇 鎧俠公布的截至2023年12月31日的2023財年三季度財報顯示，鎧俠單季度營收2620億日元（約合17.4億美元），環比增長20.6%；營業損失650億日元（約合4.3億美元），虧損環比改善35.8%；凈虧損649億日元（約合4.3億美元），環比增長21.1%。 
圖片來源：鎧俠 技術方面，鎧俠在車用存儲市場率先引入UFS4.0嵌入式存儲設備，并發布了2TB microSDXC存儲卡。 另外，鎧俠表示，其與西部數據位于四日市和北上的合資工廠已獲批獲得日本政府提供高達1500億日元的補貼。 對于后市展望，由于終端客戶庫存不斷改善以及存儲原廠持續控制產能釋出，鎧俠預計，存儲市場的供需情況以及產品售價不斷改善。在PC和智能手機需求方面，隨著終端客戶庫存改善、AI嵌入PC和智能手機、單位存儲容量增長以及軟件更新帶來的換機需求，預計智能手機和PC領域需求將持續復蘇。服務器和企業級SSD需求方面，已有信號表明客戶庫存水位正恢復正常化加上企業IT支出復蘇，預計2024下半年需求將開始復蘇。 西數：持續推進閃存業務改善，重啟與鎧俠合并談判 近日，西部數據公布了2024第二財季（截至2023年12月29日）業績，該季營收30.32億美元，環比增長10%，同比下降2%；凈虧損2.10億美元，凈利潤率-6.9%。主要原因是受到閃存和HDD業務結構性調整的影響。值得注意的是，該季西部數據NAND毛利率轉正至7.9%。 按業務劃分，西部數據云業務營收為10.71億美元，同比下降13%;客戶業務營收為11.22億美元，同比增長3%;消費者業務營收為8.39億美元，同比增長6%；按照產品劃分，NAND Flash部門的營收由2022年同期的16.6億美元增加到16.7億美元，硬盤部門營收13.7億美元。 西部數據執行長David Goeckeler表示，將以積極管理庫存的策略，加上提供范圍更廣的產品，做好成本調控，注重研發等作為，有信心西部數據的獲利能夠改善。 此前西部數據表示，將在2024年下半年之前剝離其閃存業務。在與日本Kioxia（鎧俠）合并該業務的談判陷入停滯后，閃存業務一直在努力應對供應過剩的問題。目前，鎧俠和西部數據正積極重啟合并談判。據外媒消息，日本產業省周二表示，將向鎧俠和西部數據提供2429億日元（約合16.4億美元）補貼，幫助它們在三重縣和巖手縣擴大存儲芯片生產。日本工業大臣齋藤健表示，支持日本芯片制造商鎧俠與西部數據合并。并預計未來內存市場將大幅增長，包括用于生成式人工智能的內存。 看好AI動能，原廠積極布局HBM 目前，以手機、PC為代表的消費電子市場需求回溫還不足以支撐存儲巨頭業績快速增長，但大廠不約而同增加2024年的資本支出，主要動因還在于AI帶來的市場增量。目前，主流AI訓練芯片為了提升帶寬更好地發揮算力，都采用了HBM與算力芯片進行合封。AI服務器端成長性明顯，從ChatGPT到今年OpenAI最新推出的文生視頻模型Sora，以及各廠自建的AI大模型，都需要用到AI 服務器。 據TrendForce集邦咨詢表示，2024年DRAM及NAND Flash在各類AI延伸應用，如智能手機、服務器、筆電的單機平均搭載容量均有成長，又以服務器領域成長幅度最高，Server DRAM單機平均容量預估年增17.3%；Enterprise SSD則預估年增13.2%。
服務器方面，伴隨AI服務器需求持續增加，AI高端芯片如NVIDIA H200/B100、AMD MI350及云端服務業者（CSP）自研ASIC陸續推出或開始量產。但由于Training AI Server是目前市場主流，其擴大采用的存儲器是以有助于高速運算的DRAM產品為主，故相較于NAND Flash，DRAM的單機平均搭載容量成長幅度更高，Server DRAM預估年增率17.3%，Enterprise SSD則約13.2%。 目前頭部三星、SK海力士、美光三大巨頭在HBM上的擴產也是史無前例。 三星：2024年HBM產量將比去年提高2.5倍，2025年再提高2倍 三星電子從2023年四季度開始擴大HBM3的供應。此前2023年四季度三星內部消息顯示，已經向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產。到下半年，其占比預計將達到90%左右。”負責三星美國半導體業務的執行副總裁Han Jin-man則在今年CES 2024上表示，三星今年的HBM芯片產量將比去年提高2.5倍，明年還將繼續提高2倍。 三星官方還透露，公司計劃在今年第四季度之前，將 HBM 的最高產量提高到每月15萬至17萬件，以此來爭奪2024年的HBM市場。此前三星電子斥資105億韓元收購了三星顯示位于韓國天安市的工廠和設備，以擴大HBM產能，同時還計劃投資7000億至1萬億韓元新建封裝線。 SK海力士：3月量產全球首款第五代高帶寬存儲器HBM3E 2月20日，據韓媒最新消息，SK海力士將于今年3月開始量產全球首款第五代高帶寬存儲器HBM3E，計劃在下個月內向英偉達供應首批產品。 SK海力士則表示，“我們無法確認與客戶相關的任何信息。” SK海力士在財報中表示，計劃在2024年增加資本支出，并將生產重心放在HBM等高端存儲產品上，HBM的產能對比去年將增加一倍以上，此前海力士曾預計，到2030年其HBM出貨量將達到每年1億顆，并決定在2024年預留約10萬億韓元（約合76億美元）的設施資本支出——相較2023年6萬億-7萬億韓元的預計設施投資，增幅高達43%-67%。 擴產的重點是新建和擴建工廠，去年6月有韓媒報道稱，SK海力士正在準備投資后段工藝設備，將擴建封裝HBM3的利川工廠，預計到今年年末，該廠后段工藝設備規模將增加近一倍。 此外，SK海力士還將在美國印第安納州建造一座最先進的制造工廠，據英國《金融時報》消息，這家韓國芯片制造商將在這家工廠生產HBM堆棧，這些堆棧將用于臺積電生產的Nvidia GPU，SK集團董事長表示，該工廠預計耗資220億美元。 美光：繼續趕追，押寶HBM4 美光在全球HBM市場份額占比較低，為了縮小差距，美光對其下一代產品HBM3E下了很大的賭注，美光首席執行官Sanjay Mehrotra表示：“我們正處于為Nvidia下一代AI加速器提供HBM3E的驗證的最后階段。”其計劃于2024年初開始大批量發貨HBM3E內存，同時強調其新產品受到了整個行業的極大興趣，這暗示NVIDIA可能不是唯一最終使用美光HBM3E的客戶。 在這場沒有占據先發優勢的比拼中，美光似乎押寶在下一代HBM4這一尚未確定的標準上。官方消息顯示，美光披露了暫名為HBM next的下一代HBM內存，其預計HBM Next將提供36GB和64GB容量，能提供多種配置。與三星和SK海力士不同，美光并不打算把HBM和邏輯芯片整合到一個芯片中，在下一代HBM發展上，韓系和美系內存廠商涇渭分明，美光可能會告訴AMD、英特爾和英偉達，大家可以通過HBM-GPU這樣的組合芯片獲得更快的內存訪問速度，但是單獨依賴某一家的芯片就意味著更大風險。 據TrendForce集邦咨詢了解，HBM4預計規劃于2026年推出，目前包含NVIDIA以及其他CSP（云端業者）在未來的產品應用上，規格和效能將更優化。受到規格更往高速發展帶動，將首次看到HBM最底層的Logic die（又名Base die）采用12nm制程wafer，該部分將由晶圓代工廠提供，使得單顆HBM產品需要結合晶圓代工廠與存儲器廠的合作。 再者，隨著客戶對運算效能要求的提升，HBM4在堆棧的層數上，除了現有的12hi (12層)外，也將再往16hi (16層)發展，更高層數也預估帶動新堆棧方式hybrid bonding的需求。HBM4 12hi產品將于2026年推出；而16hi產品則預計于2027年問世。 |
