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OptiMOS™ 5線性FET產品詳情： OptiMOS™ 5線性FET具有非常低的導通電阻和60V、80V或100V VDS。該產品組合包括1.55mΩ、2.55mΩ、3.5mΩ或11.3mΩ低導通電阻RDS(on)。這些器件采用TDSON-8FL或S3O8封裝，工作溫度范圍為-55°C至175°C。 產品特點： 極低導通電阻RDS(on) 寬安全工作區 (SOA) N溝道，正常電平 100%經雪崩測試 無鉛電鍍，符合RoHS指令 無鹵素，符合IEC61249-2-21標準 應用： • 熱插拔 • 電池保護 • 電子保險絲 產品屬性： 1、ISC025N08NM5LFATMA1 N 通道 80V、2.55 毫歐、表面貼裝 TDSON-8 FET 類型：N 通道 技術：MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）：80 V 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：23A（Ta）， 198A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.55 毫歐 @ 50A， 10V 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 115μA 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：96 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6800 pF @ 40 V FET 功能：- 功率耗散（最大值）：3W（Ta）， 217W（Tc） 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝型 供應商器件封裝：PG-TDSON-8 FL 封裝/外殼：8-PowerTDFN 2、ISC035N10NM5LFATMA1 100V、3.5毫歐、表面貼裝 TDSON-8 N-通道功率MOSFET FET 類型：N 通道 技術：MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）：100 V 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：19A（Ta）， 164A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.5 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 115μA 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：88 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7200 pF @ 50 V FET 功能：- 功率耗散（最大值）：3W（Ta）， 217W（Tc） 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝型 供應商器件封裝：PG-TDSON-8 FL 封裝/外殼：8-PowerTDFN 3、ISC015N06NM5LFATMA1 N-通道功率MOSFET 60V、1.55 毫歐 TDSON-8 FET 類型：N 通道 技術：MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）：60 V 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：32A（Ta）， 275A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.55 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.45V @ 120μA 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：113 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9000 pF @ 30 V FET 功能：- 功率耗散（最大值）：3W（Ta）， 217W（Tc） 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝型 供應商器件封裝：PG-TDSON-8 FL 封裝/外殼：8-PowerTDFN 明佳達電子、星際金華（供求）具有極低導通電阻RDS(on) ISC025N08NM5LFATMA1、ISC035N10NM5LFATMA1、ISC015N06NM5LFATMA1 N-通道功率MOSFET ，如有興趣請聯系陳先生qq 1668527835 詳談。 
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