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6 寸碳化硅 mosfet 晶圓，是一種以碳化硅為材料制成的場效應(yīng)晶體管。
碳化硅MOS特性-SiC MOS晶圓裸die規(guī)格簡介.pdf
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6 寸碳化硅 mosfet 晶圓的主要特點如下： 1.高耐壓：碳化硅具有較高的擊穿電場，因此 6 寸碳化硅 mosfet 晶圓具有較高的耐壓能力，適用于高電壓應(yīng)用場景。 2.大電流密度：碳化硅具有較大的電子遷移率，使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圓具有較大的電流密度，能夠承受更大的電流。 3. 高工作頻率：碳化硅具有較低的載流子遷移率，使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圓具有較高的工作頻率，適用于高頻率應(yīng)用場景。 4.良好的熱穩(wěn)定性：碳化硅具有較高的熱導(dǎo)率，使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圓在高溫環(huán)境下仍具有較好的性能表現(xiàn)。
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