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碳化硅MOS晶圓6寸主流，多家廠商在進擊8英寸工藝

發布時間：2024-1-3 14:32 發布者：Eways-SiC

關鍵詞：碳化硅MOS晶圓 , SiC MOS晶圓 , 碳化硅MOS晶粒 , 碳化硅MOS裸die , wafer

6 寸碳化硅 mosfet 晶圓，是一種以碳化硅為材料制成的場效應晶體管。

碳化硅MOS特性-SiC MOS晶圓裸die規格簡介.pdf (4.1 MB) 碳化硅MOS晶圓裸die規格簡介。

mosfet 晶圓相比，6 寸碳化硅 mosfet 晶圓具有更高的耐壓、更大的電流密度和更高的工作頻率等優點，因此逐漸成為電力電子領域的研究熱點。

6 寸碳化硅 mosfet 晶圓的主要特點如下：

1.高耐壓：碳化硅具有較高的擊穿電場，因此 6 寸碳化硅 mosfet 晶圓具有較高的耐壓能力，適用于高電壓應用場景。

2.大電流密度：碳化硅具有較大的電子遷移率，使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圓具有較大的電流密度，能夠承受更大的電流。

3. 高工作頻率：碳化硅具有較低的載流子遷移率，使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圓具有較高的工作頻率，適用于高頻率應用場景。

4.良好的熱穩定性：碳化硅具有較高的熱導率，使得 6 寸碳化硅 mosfet 晶圓在高溫環境下仍具有較好的性能表現。

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