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新設(shè)計工具有助于加速兩輪電動車市場的產(chǎn)品設(shè)計，并幫助系統(tǒng)工程師充分利用SuperGaN FET的優(yōu)勢 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼TGAN）宣布推出兩款面向電動車充電應(yīng)用的全新參考設(shè)計。300W和600W恒流/恒壓（CC/CV）電池充電器采用 Transphorm 的70毫歐和150毫歐 SuperGaN 器件，以極具競爭力的成本實現(xiàn)高效的 AC-DC 功率轉(zhuǎn)換和高功率密度。這兩款參考設(shè)計旨在幫助兩輪和三輪電動車充電器快速實現(xiàn)量產(chǎn)。 據(jù)悉，印度和中國的兩輪和三輪電動車年銷量分別超過 1,400 萬輛和 4,500 萬輛。另外，這兩款參考設(shè)計還可用于各種其它應(yīng)用，包括快充、LED可調(diào)光驅(qū)動器、游戲機(jī)和高性能筆記本電腦。 
Transphorm 全球銷售和FAE副總裁 Tushar Dhayagude 表示：“氮化鎵應(yīng)用正在電動車市場迅速普及。這主要是因為相比碳化硅或硅等替代選擇方案，氮化鎵技術(shù)能夠以具成本效益的高良率制造工藝實現(xiàn)高功率密度。特別值得一提的是，Transphorm的 SuperGaN 器件得到了兩輪和三輪車制造商的廣泛關(guān)注和認(rèn)可，因為與硅解決方案相比，我們的方案除了具備上述優(yōu)點之外，還擁有系統(tǒng)和器件級的成本優(yōu)勢。我們很高興能夠基于客戶持續(xù)的設(shè)計要求推出相應(yīng)參考設(shè)計，幫助內(nèi)置或外置充電器制造商加速推出基于氮化鎵的系統(tǒng)，提升新一代車輛的性能和可用性�！� 什么是 CC/CV？ 恒流/恒壓（CC/CV）鋰離子電池充電方式，是在充電初始階段采用恒流充電，在充電后期當(dāng)電池達(dá)到設(shè)定的充電量時切換到恒壓充電，以防止電池過充。 開放架構(gòu) CC/CV AC-DC 電池充電器 新發(fā)布的300 W 和 600 W 參考設(shè)計將 SuperGaN FET 與控制器配對，采用流行的功率因數(shù)校正 (PFC) 和諧振 LLC 拓?fù)�，其�?LLC 特別針對寬電池電量范圍（從空電到滿電）的設(shè)計。利用 Transphorm 的 SuperGaN 平臺，電源系統(tǒng)開發(fā)人員能夠最大限度發(fā)揮PFC+LLC的性能潛力，以最具競爭力的成本實現(xiàn)這些拓?fù)渌苓_(dá)到的最高效率。 這兩款參考設(shè)計采用純模擬控制器，而不是需要固件的數(shù)字控制器。這種配置具有幾個優(yōu)點，例如更易于設(shè)計、產(chǎn)品開發(fā)簡化，原因如下： • 開發(fā)資源要求降低 • 開發(fā)時間縮短 • 無需進(jìn)行可能很復(fù)雜的固件編程/維護(hù) 注：300W 參考設(shè)計包括一個額外的 PWM 輸入端口，用于獲取低于額定輸出值的輸出電流，從而進(jìn)一步提高了應(yīng)對各類電池的靈活性。 主要技術(shù)規(guī)格如下：
這兩款參考設(shè)計采用的是Transphorm 的 SuperGaN FET器件，SuperGaN的獨特優(yōu)勢包括： • 業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)健性：+/- 20 V 柵極閾值和 4 V 抗擾性。 • 更優(yōu)的可設(shè)計性：減少器件周邊所需電路。 • 更易于驅(qū)動：SuperGaN FET能使用硅器件所常用的市售驅(qū)動器。 如何獲取參考設(shè)計 Transphorm 目前可以提供完整的 300 W 和 600 W CC/CV 電池充電器參考設(shè)計。請訪問以下鏈接，下載技術(shù)文檔、設(shè)計文件、固件和物料清單： • TDAIO-TPH-ON-CCCV-300W-RD: https://transphormusa.cn/zh/refe ... ph-on-cccv-300w-rd/ • TDAIO-TPH-MPS-CCCV-600W-RD: https://transphormusa.cn/zh/refe ... mps-usbc-140w-rd-2/ 為確保上述電池充電器的設(shè)計準(zhǔn)確性，請電源系統(tǒng)開發(fā)人員參閱以下設(shè)計指南： • 帶 LLC輸出的電源適配器的恒流/恒壓 (CC/CV) 應(yīng)用： https://transphormusa.cn/zh/docu ... pplication-for-llc/ 如需了解設(shè)計工具中的 SuperGaN 器件的更多信息，請訪問以下鏈接： • TP65H070G4PS 采用 TO-220 封裝的 650 V、72 mΩ GaN FET https://transphormusa.cn/zh/prod ... ile-tp65h070g4ps-2/ • TP65H150G4PS 采用 TO-220 封裝的 650 V、150 mΩ GaN FET https://transphormusa.cn/zh/prod ... file-tp65h150lsg-2/ |
