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來源：IT之家 近日，深圳佰維存儲科技股份有限公司的晶圓級先進封測制造項目正式落地東莞松山湖高新技術產業開發區，簽約儀式在東莞市成功舉辦。 據介紹，晶圓級先進封測系介于前道晶圓制造與后道封裝測試之間的半導體制造中道工序，采用光刻、刻蝕、電鍍、PVD、CVD、CMP、Strip 等前段晶圓制造工序，以實現凸塊（Bumping）、重布線（RDL）、扇入（Fan-in）、扇出（Fan-out）、硅通孔（TSV）等工藝技術，不僅可以將芯片直接封裝在晶圓上，節省物理空間，還能夠將多個芯片集成在同一個晶圓上，實現更高的集成度。 佰維存儲表示，落地晶圓級先進封測項目有利于公司產品實現更大的帶寬、更高的速度、更靈活的異構集成以及更低的能耗，賦能移動消費電子、高端超級計算、游戲、人工智能和物聯網等應用領域的客戶。 佰維存儲還透露，公司已掌握 16 層疊 Die、30~40μm 超薄 Die、多芯片異構集成等先進封裝工藝，為 NAND、DRAM 芯片和 SiP 封裝產品的創新力及大規模量產提供支持。 深圳佰維存儲科技股份有限公司成立于 2010 年，專注于存儲芯片研發與封測制造，是國家高新技術企業，國家級專精特新小巨人企業，并獲得國家大基金戰略投資。 據IT之家此前報道，佰維已推出 UFS 3.1 高速閃存，寫入速度最高可達 1800MB/s，是上一代通用閃存存儲的 4 倍以上，讀取速度達 2100MB/s，容量達 256GB（未來將推出 512GB、1TB 容量），尺寸為 11.5×13.0×1.0mm，用于旗艦智能手機產品。 
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