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來源： THE KOREA DAILY 對占全球市場 70% 以上份額的國內(nèi) D-RAM 存儲器公司的反擊正在加劇。不過，也有積極的論點(diǎn)認(rèn)為，通過設(shè)計(jì)和制造模式的轉(zhuǎn)變，D-RAM 可以發(fā)展成為一種高價(jià)值產(chǎn)品。 TechInsights 高級副總裁 Choi Jeong-dong 在 23 日閉幕的國際半導(dǎo)體制造技術(shù)大會（KISM 2023）上說："在 D-RAM 制造工藝方面，三星電子與世界排名第三的美光公司之間的技術(shù)差距幾乎已經(jīng)消失。"KISM 是韓國最大的年度國際半導(dǎo)體會議，討論最新的半導(dǎo)體研究趨勢并預(yù)測未來，今年的會議于 19-23 日在釜山天堂酒店舉行，來自全球 15 個(gè)國家的 800 多人參加了會議。 據(jù) Choi 介紹，美光今年開發(fā)出了 LPDDR5（移動用低功耗 D-RAM）的第五代（1b）工藝。據(jù)報(bào)道，該產(chǎn)品供應(yīng)給了蘋果公司 9 月份發(fā)布的 iPhone 15。 當(dāng)然，三星電子（今年第二季度占 38.2%）和 SK 海力士（占 31.9%）在全球 D-RAM 市場上占有重要地位。美光的份額為 25.8%。"三星在芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、良率和采用極紫外光（EUV）方面仍然領(lǐng)先，"Choi 說，"但美光在收購日本爾必達(dá)之后，正在以一種可怕的方式迎頭趕上。" 美光采用在美國和日本實(shí)驗(yàn)室交替開發(fā)新一代 D-RAM 工藝的策略，正在趕超三星。SK hynix 也加入了爭奪領(lǐng)導(dǎo)地位的競爭行列，它已開發(fā)出 10 納米第五代 DDR5，并于 5 月份向英特爾發(fā)貨。 挑戰(zhàn)就在眼前。業(yè)界預(yù)計(jì)，D-RAM 超精細(xì)工藝將在 10 納米處遭遇物理極限，目前尚處于 10 納米早期。因此，各公司為突破 "10 納米障礙 "展開了激烈競爭，如三維（3D）D-RAM 和 4F²，但它們?nèi)蕴幱谠缙谘芯侩A段。如果制定了新的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，那么從半導(dǎo)體設(shè)計(jì)開始，就必然會發(fā)生根本性的變化。 專家們認(rèn)為，K-存儲器正處于危機(jī)與機(jī)遇并存的時(shí)刻。存儲器半導(dǎo)體歷來用于小規(guī)模、大規(guī)模生產(chǎn)的通用產(chǎn)品，現(xiàn)在正逐漸擺脫系統(tǒng)半導(dǎo)體的輔助作用，成為定制的高價(jià)值產(chǎn)品。 "SK hynix 副總裁 Jin Il-seop 告訴《中央日報(bào)》："內(nèi)存市場即將發(fā)生重大轉(zhuǎn)變，我們剛剛開始考慮如何應(yīng)對，因?yàn)榭蛻魧π阅苡胁煌男枨螅热绺邘拑?nèi)存（HBM）。""他補(bǔ)充說："計(jì)算設(shè)備和存儲設(shè)備之間的門檻正在降低，因此我們正準(zhǔn)備迎接存儲器半導(dǎo)體的良好機(jī)遇。 |
