SI2300DS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

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SI2300DS-T1-GE3 參數(shù)：N溝道, 20V, 6A, RDS(ON) 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V, 8Vgs(±V), 0.45~1Vth(V), SOT23
應(yīng)用簡(jiǎn)介：SI2300DS-T1-GE3是一款適用于中電流、低電壓的N溝道MOSFET。
其低閾值電壓使其適合低電壓邏輯驅(qū)動(dòng)。
常用于移動(dòng)設(shè)備、低電壓應(yīng)用等。
優(yōu)勢(shì)：適用于低電壓邏輯驅(qū)動(dòng)：低閾值電壓特性適合低電壓邏輯控制。
適用于移動(dòng)設(shè)備：適用于移動(dòng)設(shè)備、低電壓應(yīng)用等領(lǐng)域。
適用模塊：SI2300DS-T1-GE3適用于移動(dòng)設(shè)備和低電壓應(yīng)用的控制模塊，如手機(jī)、平板電腦等。